[实用新型]基于低电压电容的抗电压跌落宽电压交流接触器控制器

权利要求书

1.一种基于低电压电容的抗电压跌落宽电压交流接触器控制器，包括整流桥（B）、滤波电容（H）、强电流激磁开关管（M）、低压保持开关管（F）、电压采样电路（G）、开关电源（J）、低压保持电源（D）、单片机系统（I）、低电压电容（C）、二极管（N）、接触器线圈（E）以及外部控制开关（K）； 

其特征在于：一电源（A）的一端接所述外部控制开关（K）的一端与所述电压采样电路（G）中的电压跌落采样信号输入端（3），外部控制开关（K）的另一端接整流桥（B）的交流侧一端与电压采样电路（G）中的正常通断控制采样信号输入端（1），电源（A）的另一端接整流桥（B）的交流侧另一端与电压采样电路（G）中的信号公共端（2），整流桥（B）的正端分别接强电流激磁开关管（M）的集电极、开关电源（J）的一个输入端与滤波电容（H）的正极；强电流激磁开关管（M）的发射极与接触器线圈（E）的一端、低压保持开关管（F）的发射极相接；整流桥（B）的负端分别和开关电源（J）的另一输入端、滤波电容（H）的负极、接触器线圈（E）的另一端、开关电源（J）中的低压保持电源（D）的负端、低电压电容（C）的负极、二极管（N）正极相接；低压保持电源（D）的正端与低电压电容（C）的正极、二极管（N）负极、低压保持开关管（F）的集电极相接，电压采样电路（G）的输出端（4）接到单片机系统（I）的第一输入端，电压采样电路（G）的电压跌落采样信号的输出端（5）接到单片机系统（I）的第二输入端，开关电源（J）的二个输出端分别与单片机系统（I）电源端、电压采样电路（G）的电源端相接，单片机系统（I）的二个输出口分别与强电流激磁开关管（M）的控制极、低压保持开关管（F）的控制极相接，低压保持电源（D）是开关电源（J）中的一个电源。

2.根据权利要求1所述的基于低电压电容的抗电压跌落宽电压交流接触器控制器，其特征在于：所述的强电流激磁开关管（M）是IGBT绝缘栅双极晶体管或晶体三极管或MOSFET场效应管。

3.根据权利要求1所述的基于低电压电容的抗电压跌落宽电压交流接触器控制器，其特征在于：所述的低压保持开关管（F）是IGBT绝缘栅双极晶体管或晶体三极管或MOSFET场效应管。

4.根据权利要求1所述的基于低电压电容的抗电压跌落宽电压交流接触器控制器，其特征在于：所述的低电压电容是超级电容或低电压电解电容。

5.根据权利要求1所述的基于低电压电容的抗电压跌落宽电压交流接触器控制器，其特征在于：所述的外部控制开关改为手动按钮，电源（A）的一端分别接手动按钮常开触头的一端、自锁接触器常开触头（E1）的一端，手动按钮常开触头的另一端与自锁接触器常开触头（E1）的另一端、电压采样电路（G）中的电压跌落采样信号输入端（3）与手动按钮常闭触头的一端相接，手动的按钮常闭触头的另一端接电压采样电路（G）中的正常通断控制采样信号输入端（1）与整流桥（B）的交流侧一端，电源（A）的另一端接整流桥（B）的交流侧另一端与电压采样电路（G）中的信号公共端（2）。