[实用新型]一种过欠压保护模块

权利要求书

1.一种过欠压保护模块，其特征在于：包括EMI滤波器、浪涌保护电路和高频升压电路，所述EMI滤波器通过所述浪涌保护电路与所述高频升压电路连接，所述EMI滤波器与功率输入端连接，所述高频升压电路与功率输出端连接。

2.如权利要求1所述的过欠压保护模块，其特征在于：所述EMI滤波器包括第一电感（L1）、第二电感（L2）并通过并联的第四电容（CE4）、第五电容（CE5）接地，通过第三电容（CE3）并与串联的第一电容（CE1）、第二电容(CE2)并联后再通过两个阴极对接的稳压二极管（TV1）与功率输入端连接。

3.如权利要求1或2所述的过欠压保护模块，其特征在于：所述高频升压电路包括第I MOS管（QS1）、第I稳压二极管（DS1）和第I电感（LS1），所述第I稳压二极管（DS1）与功率输出端连接，功率正输出端和负输出端之间有第Ⅴ电容（CS5）…第Ⅷ电容（CS8）。

4.如权利要求1或2所述的过欠压保护模块，其特征在于：所述浪涌保护电路包括第一单片机U1电路，所述第一单片机U1电路的1脚通过第六电阻（R6）与2脚并联后通过并联的第ⅳ电容（C4）、第ⅴ电容（C5）、第I电容（CS1）、第Ⅱ电容（CS2）与高频升压电路的第I电感（LS1）连接，3脚通过第一电阻（R2）与第二MOS管（Q2）连接、通过并联的第二二极管（D2）和第四电阻（R4）后再通过第ⅰ电容（C1）接地，4脚与5脚并联后通过第八电阻（R8）与第一MOS管（Q1）连接，并通过并联的第一二极管（D1）、三极管（Q3）后再通过第七电阻（R7）接地，所述三极管（Q3）的集电极通过第一电阻（R1）与所述第一MOS管（Q1）连接、通过第三电阻（R3）与所述第二电阻（R2）和第四电阻（R4）连接，6脚通过第ⅲ电容（C3）和第一稳压二极管（VZ1）与所述第八电阻（R8）连接，7脚、8脚悬空，9脚接地，10脚通过第ⅱ电容（C2）接地。

5.如权利要求4所述的过欠压保护模块，其特征在于：所述浪涌保护电路还包括US1电路，所述US1电路的8脚与所述第I电感（LS1）连接，7脚通过第Ⅴ电阻（RS5）与5脚并联后接地，6脚通过第I电阻（RS1）与第I MOS管（QS1）连接，4脚接地，3脚通过第Ⅳ电阻（RS4）与2脚串联的第Ⅲ电容（CS3）、第I电阻（RS3）并联后接地、并通过第Ⅵ电阻（RS6）与功率输出端连接，1脚通过第Ⅱ电阻（RS2）与所述第I MOS管（QS1）、并通过并联的固定电阻（RS7）和第Ⅱ电容（CS2）接地。