[实用新型]直流电高电压输入保护电路有效
| 申请号： | 201220280001.2 | 申请日： | 2012-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN202663083U | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 余能坚;蒋海华;戴隆杰 | 申请（专利权）人： | 深圳瑞信视讯技术有限公司 |
| 主分类号： | H02H3/20 | 分类号： | H02H3/20 |
| 代理公司： | 深圳市博锐专利事务所 44275 | 代理人： | 张明 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 直流电 电压 输入 保护 电路 | ||
1.一种直流电高电压输入保护电路，其特征在于：它包括电源输出调整模块、电源输出控制模块及电源输出开关模块；所述电源输出调整模块接入输入电压，电源输出调整模块连接电源输出控制模块，电源输出控制模块连接电源输出开关模块，电源输出开关模块输出正常输出电压；电源输出调整模块根据输入电压是否符合设定从而启动电源输出控制模块的开/关，电源输出开关模块的正常输出电压根据电源输出控制模块开/关对应导通/关断。
2.如权利要求1所述的直流电高电压输入保护电路，其特征在于：所述电源输出控制模块包括NPN型三极管。
3.如权利要求2所述的直流电高电压输入保护电路，其特征在于：所述电源输出开关模块包括P沟道MOS管；所述电源输出控制模块包括NPN三极管；所述电源输出调整模块包括稳压管；所述稳压管负极连接输入电压，稳压管正极连接三极管基级，三极管的集电极与P沟道MOS管的栅极相连，三极管发射极接地，所述P沟道MOS管的漏极输出所述正常输出电压。
4.如权利要求3所述的直流电高电压输入保护电路，其特征在于：所述输入电压还通过R1，R2，R5电阻后连接三极管的集电极；所述输入电压连接P沟道MOS管的源极。
5.如权利要求3或4所述的直流电高电压输入保护电路，其特征在于：所述P沟道MOS管的源极与栅极之间还串接有R1电阻。
6.如权利要求5所述的直流电高电压输入保护电路，其特征在于：所述稳压管与三极管之间还串接有R3电阻。
7.如权利要求5所述的直流电高电压输入保护电路，其特征在于：所述第三电阻R3一路连接三极管，另一路串联R4第四电阻后接入地。
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