[实用新型]陶瓷基片双面光刻结构有效
| 申请号： | 201220276855.3 | 申请日： | 2012-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN202677059U | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 刘毅楠 | 申请（专利权）人： | 刘毅楠 |
| 主分类号： | G03F1/64 | 分类号： | G03F1/64;G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215129 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 陶瓷 双面 光刻 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种陶瓷基片双面光刻结构，其特征在于：其包括一支撑框架，所述支撑框架的上端设有上掩模板，所述支撑框架的下端设有下掩模板，所述上掩模板的上方及所述下掩模板的下方各设有一曝光装置，所述上掩模板、下掩模板之间设有一陶瓷基片支撑架，所述陶瓷基片支撑架上设有陶瓷基片，所述上掩模板、陶瓷基片、下掩模板三者的中心位置上下对应。
2.根据权利要求1所述的陶瓷基片双面光刻结构，其特征在于：所述陶瓷基片支撑架两侧各设有一导轨，所述导轨固定在所述支撑框架上，所述陶瓷基片支撑架与所述导轨滑动配合。
3.根据权利要求1所述的陶瓷基片双面光刻结构，其特征在于：所述支撑框架设有用于对陶瓷基片支撑架进行限位的限位机构。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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