[实用新型]一种硅胶密封封装的光伏电池封装板有效
| 申请号: | 201220270707.0 | 申请日: | 2012-06-08 |
| 公开(公告)号: | CN202633353U | 公开(公告)日: | 2012-12-26 |
| 发明(设计)人: | 文仁光 | 申请(专利权)人: | 文仁光 |
| 主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市宝安区福*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 硅胶 密封 封装 电池 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种光伏电池封装板。
背景技术
目前,公知的太阳能光伏电池封装(层压)板由玻璃、EVA胶膜、电池片或电池片串或非晶薄膜电池、EVA胶膜、背板层层叠在一起,然后在一定的温度、压力和真空条件下采用层压机层压粘结融合而成。但是,此传统层压板存在以下不足:(1)EVA材料本身对太阳光短波部分有吸收,导致太阳光不能被充分利用到发电;(2)EVA材料本身的耐侯性不是特别好,导致光伏电池组件使用时的发电性能有较快的衰减;(3)EVA层压封装工艺需要加热到140℃-150℃固化20-30分钟,生产能耗高,效率低,且在层压生产时有电池片漂移或碎裂的风险,使得生产成品率低。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服目前技术的不足,提供一种硅胶密封封装的光伏电池封装板,其发电效率更高,性能衰减更慢,生产能耗更低,生产效率更高,而且可避免电池片漂移或碎裂的风险,提高生产成本率。
为实现上述目的,本实用新型所采用的技术方案是:
一种硅胶密封封装的光伏电池封装板,依次包括一玻璃面板、第一层硅胶、电池片或电池片串、第二层硅胶、背板。
所述玻璃面板是超白光伏玻璃。
所述第一层硅胶是高透光液体硅胶。
本实用新型的有益效果为:采用第一、第二层硅胶取代了传统的EVA材料,同等条件下更多的光线到达电池片表面发电,使组件发电效率更高;同时硅胶的耐侯性远优于EVA,硅胶户外寿命可达20-30年,使整个光伏电池组件工作时得到更长期的有效保护,使得发电性能衰减速度远比EVA封装的衰减慢;而且硅胶封装只需加热到120℃固化2-3分钟,如此,大大降低了能耗,提升了生产效率;再者因为免去了EVA层压热压生产的过程,避免了电池片漂移和碎裂的风险,使生产成品率更高。
附图说明
图1为本实用新型硅胶密封封装的光伏电池封装板示意图。
具体实施方式
以下将参照附图详细说明本实用新型硅胶密封封装的光伏电池封装板。
如图1所示,本实用新型硅胶密封封装的光伏电池封装板依次包括一玻璃面板1、第一层硅胶2、电池片或电池片串3、第二层硅胶4、背板5。
在本实施例中,所述玻璃面板1是超白光伏玻璃;第一层硅胶2是高透光液体硅胶,在生产封装板时加温固化或常温固化而得;所述电池片为单晶硅电池片,所述电池片串为多晶硅电池片串,电池片或电池片串3也可以为非晶电池材料等制成;所述第二层硅胶4是和第一层硅胶2可为相同或不相同的硅胶,其也是由液体硅胶在组件生产时加热固化或常温固化而得。
制作的时候,将玻璃面板1平放在工作面上(图未示,注意保护玻璃面),先在玻璃面板1上涂布第一层硅胶2,然后将电池片或电池片串3布在第一层硅胶2上,再涂布第二层硅胶4,将背板5平放在第二层硅胶4上,进炉120℃固化2-3分钟即可得到一种有机硅胶封装的硅胶密封封装的光伏电池封装板。
综上所述,采用第一、第二层硅胶2、4取代了传统的EVA材料,同等条件下更多的光线到达电池片表面发电,使组件发电效率更高;同时硅胶的耐侯性远优于EVA,硅胶户外寿命可达20-30年,使整个光伏电池组件工作时得到更长期的有效保护,使得发电性能衰减速度远比EVA封装的衰减慢;而且硅胶封装只需加热到120℃固化2-3分钟,如此,大大降低了能耗,提升了生产效率;再者因为免去了EVA层压热压生产的过程,避免了电池片漂移和碎裂的风险,使生产成品率更高。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于文仁光,未经文仁光许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201220270707.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种自动测控系统
- 下一篇:浇注型聚氨酯胶管电加热硫化罐
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





