[实用新型]一种分裂式整流变压器的绕组

说明书

技术领域

本实用新型属于变压器领域，尤其涉及一种分裂式整流变压器的高、低压绕组。

背景技术

传统的分裂式变压器的绕组结构主要有两种，轴向分裂式结构及幅向分裂式结构，具体结构形式分别如图1和图2。其二次绕组一般为低电压400V或690V，根据变压器容量的大小，其电流值相对较大，线圈大多采用箔式绕组。在传统的轴向分裂式结构或幅向分裂式结构结构基础上进行改造，改造为如图3所示的结构，即低压的两个绕组材料一起绕制，同时中间用绝缘材料隔开，保证电气方面独立运行。

采用轴向分裂式结构时（如图1），由于受到高度的限制，绕组的铜箔较厚，受其端部场强影响较大，铜箔内部的涡流损耗也随之增加，造成部分材料浪费。且此结构须设计为上、下出线，为保证安匝平衡，一次绕组也需设计为上、下两部分，引线结构也较为复杂。

采用幅向分裂式结构时（如图2），铜箔的高度较高，厚度可为轴向分裂式结构的1/2，铜箔的涡流损耗明显减小，引线结构较前者相对简化。但为了使得两绕组间的阻抗值尽可能接近，势必要调节各绕组之间的主空道距离，造成线圈的绕制半径增加，材料浪费较为严重。

采用并绕幅向分裂式结构时（如图3），由于两线圈的绝缘半径非常接近，能够很好的耦合，有效控制了线材的涡流损耗。但是此结构只能用于低压的两绕组的匝数完全相等，即两个低压绕组须同时为“Y”接或”d”接方式，所以使用范围受到了限制。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服上述问题，提供一种较好的保证变压器参数、节约绕组材料、低压接线方式更为灵活的分裂式整流变压器的绕组。

为了实现上述目的，本实用新型所采用的技术方案为：一种分裂式整流变压器的绕组，包括二次绕组和初次绕组，其特征在于：所述的初次绕组为整体式结构，所述的二次绕组设有内、外两层，每层绕组均设有上、下两个分部，内层二次绕组的上分部线圈与外层二次绕组的下分部线圈串联连接构成一个二次线圈，外层二次绕组的上分部线圈与内层二次绕组的下分部线圈串联连接构成一个二次线圈。

前述的一种分裂式整流变压器的绕组，所述的二次绕组为低压绕组。

前述的一种分裂式整流变压器的绕组，所述的两个二次线圈具有独立运行的电气部分。

前述的一种分裂式整流变压器的绕组，所述的两个二次线圈具有相等的电抗高度。

前述的一种分裂式整流变压器的绕组，当二次绕组的两线圈接线方式分别为d接和Y接时，二次绕组匝数符合如下等式：其中m1为内层二次绕组的上分部的线圈匝数，m2为外层二次绕组的下分部的线圈匝数，n1为外层二次绕组的上分部的线圈匝数，n2为内层二次绕组的下分部的线圈匝数。

本实用新型综合了轴向及幅向分裂式绕组结构的优点，两个二次线圈采用上、下及内、外串联的结构，既保证了线圈的安匝平衡，上、下分裂的绕组阻抗也很接近，既改善了绕组内部的涡流损耗又避免了材料的浪费。在一组二次线圈“Y”接，另一组为“d”接的情况下，低压线圈匝数低压线圈不受接线方式的限制，接线方式更为灵活。此实用新型结构可应用在高压35kV或10kV、低压为400V或690V的12脉波整流变压器上。

附图说明

图1为传统轴向分裂式绕组的结构图；

图2为传统幅向分裂式绕组的结构图；

图3为并绕幅向分裂式绕组的结构图；

图4为本实用新型的分裂式整流变压器的绕组结构图；

其中，1二次绕组外层，2二次绕组内层，3初次绕组，1a外层二次绕组上分部，1b外层二次绕组下分部，2a内层二次绕组上分部，2b内层二次绕组下分部，y二次绕组，D初次绕组，Y接线方式，d接线方式，m1内层二次绕组的上分部的线圈匝数，m2外层二次绕组的下分部的线圈匝数，n1外层二次绕组的上分部的线圈匝数，n2内层二次绕组的下分部的线圈匝数。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步说明。

图1为传统轴向分裂式绕组的结构图，二次绕组y和初次绕组D均为上、下两部分设计。

图2为传统幅向分裂式绕组的结构图，二次绕组y为两层，分别为二次绕组外层1和二次绕组内层2，初次绕组D为整体式结构。

图3为并绕幅向分裂式绕组的结构图，二次绕组y设有绝缘半径非常接近的二次绕组外层1和二次绕组内层2，初次绕组D为整体式结构。二次绕组外层1和二次绕组内层2必须同时为“Y”接或”d”接，使用范围受到了限制。