[实用新型]一种隔离式待机零功耗电路

权利要求书

1.一种隔离式待机零功耗电路，其特征在于，包括

交流的第一输入端Lin和第二输入端Nin，

所述第一输入端Lin通过保险丝与隔离稳压电源电路（1）一输入端相连，

所述第二输入端Nin通过双向可控硅TR1与所述隔离稳压电源电路（1）另一输入端相连，

所述第二输入端Nin与所述双向可控硅TR1的T2极和电源开关SW一端相连，

所述双向可控硅TR1的T1极与脉冲触发电路（4）的脉冲变压器一输出端相连，

所述电源开关SW的另一端通过电阻R4与光耦检测电路（3）的二极管阳极相连，

所述光耦检测电路（3）的二极管阴极与所述脉冲触发电路（4）的二极管阴极相连并通过电阻R5与所述双向可控硅TR1的控制极G相连，

所述双向可控硅TR1的T2极和T1极之间并联一RC保护回路（2），

所述双向可控硅TR1的T1极和控制极G之间并联一触发电容C2，

所述交流的第一输入端Lin和所述第二输入端Nin之间并联一安规电容C1和一压敏电阻RV，

 所述隔离稳压电源电路包含隔离的直流输出电压Vcc和模拟地GND。

2.根据权利要求1所述的隔离式待机零功耗电路，其特征在于，所述交流的第一输入端Lin和所述第二输入端Nin之间并联一安规电容C1和一压敏电阻RV。

3.根据权利要求1所述的隔离式待机零功耗电路，其特征在于，所述RC保护回路（2）包含串联的电阻R3和电容C3。

4.根据权利要求1所述的非隔离式待机零功耗电路，其特征在于，所述第二输入端Nin通过双向可控硅TR1与隔离稳压电源电路（1）另一输入端相连，所述第二输入端Nin与所述双向可控硅TR1的T2极和电源开关SW一端相连，所述双向可控硅TR1的T1极与脉冲触发电路（4）的脉冲变压器一输出端相连，

5.根据权利要求1所述的隔离式待机零功耗电路，其特征在于，所述光耦检测电路（3）包括光耦IC1、电阻R8、电阻R9和滤波电容C4，所述光耦IC1的集电极通过一电阻R8连接至直流输出电压Vcc，同时通过一电阻R9与第一输入输出端口I/O1连接，所述第一输入输出端口I/O1同时接一滤波电容C4至模拟地GND，所述光耦IC1的发射极接模拟地GND，所述光耦IC1的二极管阳极通过一电阻R4连接至所述电源开关SW一端，所述光耦IC1的二极管阴极与所述脉冲触发电路（4）的二极管阴极相连并通过电阻R5与所述双向可控硅TR1的控制极G相连。

6.根据权利要求1所述的隔离式待机零功耗电路，其特征在于，所述脉冲触发电路（4）包 括NPN三极管Q1、电阻R6、电阻R7、滤波电容C4、脉冲变压器T4、开关二极管D1和开关二极管D2，所述NPN三极管Q1的基极接一滤波电容C5至模拟地GND，同时通过一电阻R7与第二输入输出端口I/O2连接，所述NPN三极管Q1的集电极通过一电阻R6连接至一直流输出电压Vcc，所述NPN三极管Q1的发射极与脉冲变压器T4初级线圈的一端相连，所述变压器T4初级线圈的另一端接模拟地GND，所述变压器T4初级线圈的两端之间并联一开关二极管D1，所述变压器T4次级线圈的一端正向串接一开关二极管D2后与所述通过光耦IC1的二极管阴极相连并通过电阻R5与所述双向可控硅TR1的控制极G连接，所述变压器T4次级线圈的另一端与所述可控硅TR1的T1极连接。

7.根据权利要求1所述的隔离式待机零功耗电路，其特征在于，所述双向可控硅TR1的T1极和所述双向可控硅TR1的控制极G之间连接一触发电容C2。

8.根据权利要求1所述的隔离式待机零功耗电路，其特征在于，所述光耦检测电路（3）的第一输入输出端口I/O1和所述脉冲触发电路（4）的第二输入输出端口I/O2均连接至单片机MCU。

9.根据权利要求1所述的隔离式待机零功耗电路，其特征在于，所述隔离稳压电源电路（1）为变压器降压桥式整流稳压电源电路或隔离半波整理稳压电源电路。