[实用新型]运算跨导放大器电路

权利要求书

1.一种运算跨导放大器电路，其特征在于，包括：

放大器电路，具有输入端子和输出端子；

电流吸收晶体管，具有耦合至所述输出端子的第一导电端子、耦合至参考电源节点的第二导电端子、以及控制端子；以及

电压感测电路，具有耦合至所述输入端子的第一输入、耦合至所述输出端子的第二输入、以及耦合至所述电流吸收晶体管的所述控制端子的输出。

2.根据权利要求1所述的运算跨导放大器电路，其特征在于，所述电压感测电路配置为感测在所述输出端子处的电压的上升，并且通过激活所述电流吸收晶体管以从所述输出端子至所述参考电源节点吸收电流而响应于所述上升。

3.根据权利要求1所述的运算跨导放大器电路，其特征在于，所述放大器电路包括非反相单位增益缓冲放大器。

4.根据权利要求1所述的运算跨导放大器电路，其特征在于，所述放大器电路包括：

差分输入级，包括正输入端子和负输入端子；以及

单端输出级。

5.根据权利要求4所述的运算跨导放大器电路，其特征在于，所述正输入端子是所述放大器电路的所述输入端子，并且所述负输入端子连接至所述放大电路的所述输出端子。

6.根据权利要求1所述的运算跨导放大器电路，其特征在于，所述电压感测电路包括如下电路，该电路配置成当耦合至所述输入端子的所述第一输入处的电压等于耦合至所述输出端子的所述第二输入处的电压时偏置所述电流吸收晶体管为截止状态。

7.根据权利要求6所述的运算跨导放大器电路，其特征在于，所述电压感测电路的所述电路被进一步配置成当耦合至所述输入端子的所述第一输入处的电压小于耦合至所述输出端子的所述第二输入处的电压时偏置所述电流吸收晶体管为导通状态。

8.根据权利要求1所述的运算跨导放大器电路，其特征在于，所述电压感测电路被配置成感测耦合至所述输出端子的第二输入处的电压超出耦合至所述输入端子的所述第一输入处的电压，并且通过激活所述电流吸收晶体管以从所述输出端子至所述参考电源节点吸收电流而响应于所述超出。

9.根据权利要求1所述的运算跨导放大器电路，其特征在于，所述电压感测电路包括：

第一晶体管，具有耦合至所述输出端子的第一导电端子、以及耦合至所述电流吸收晶体管的所述控制端子的第二导电端子；以及

电阻器，耦合在所述电流吸收晶体管的所述控制端子与所述参考电源节点之间。

10.根据权利要求9所述的运算跨导放大器电路，其特征在于，所述电压感测电路进一步包括：

第二晶体管，具有耦合至所述输入端子的第一导电端子、耦合至参考电流的第二导电端子、以及耦合至所述第二导电端子的控制端子；

其中，所述第二晶体管的所述控制端子也耦合至所述第一晶体管的控制端子。

11.一种运算跨导放大器电路，其特征在于，包括：

非反相单位增益缓冲放大器，具有输入端子和输出端子；

电流吸收晶体管，具有耦合至所述输出端子的第一导电端子、耦合至参考电源节点的第二导电端子、以及控制端子；以及

电压感测电路，耦合至所述控制端子，并且配置为响应于超出在所述输入端子处的电压的在所述输出端子处的电压的上升而激活所述电流吸收晶体管。

12.根据权利要求11所述的运算跨导放大器电路，其特征在于，所述电流吸收晶体管是金属氧化物半导体场效应晶体管。

13.根据权利要求11所述的运算跨导放大器电路，其特征在于，所述电压感测电路包括电路，所述电路配置成当所述输入端子处的电压感测为小于所述输出端子处的电压时将所述电流吸收晶体管从截止状态偏置为导通状态。

14.根据权利要求1所述的运算跨导放大器电路，其特征在于，所述电压感测电路包括：

第一晶体管，具有耦合至所述输出端子的第一导电端子、以及耦合至所述电流吸收晶体管的所述控制端子的第二导电端子；以及

电阻器，耦合在所述电流吸收晶体管的所述控制端子与所述参考电源节点之间。