[实用新型]太阳能电池的双渐变网版结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及光伏领域，具体是太阳能电池的双渐变网版结构。

背景技术

目前，在太阳能电池正面电极的印刷领域，普遍采用均匀的栅线印刷模式，即整张硅片上面所有的次栅线均采用同一种线宽。扩散气流进入到硅片中心区域的难度较边缘区域大，因此扩散后硅片上的方块电阻往往表现为中心区域的方阻较高，边缘区域方阻较低。中心高方阻区域的短波响应较好，所产生的载流子较多，但横向电阻较大；边缘低方阻区域短波响应较差，但横向电阻较小。因此，采用均匀的栅线模式不能很好地匹配同一张硅片上方阻的均匀性需求，从而会影响到电能的转化效率。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，提供了一种能提高电能转化效率的太阳能电池的双渐变网版结构。

本实用新型的目的主要通过以下技术方案实现：太阳能电池的双渐变网版结构，包括方形的硅片，所述硅片的受光面上设置有多条主栅线、多条边缘次栅线及多条中心次栅线，所述多条主栅线相互之间平行设置，多条边缘次栅线相互之间平行设置，多条中心次栅线相互之间平行设置，边缘次栅线和中心次栅线均垂直主栅线且与主栅线连接；所述边缘次栅线位于硅片受光面上的边缘区域，所述中心次栅线位于硅片受光面上的中心区域，且中心次栅线的宽度大于边缘次栅线的宽度。

所述硅片中心区域与硅片边缘区域的分界线上的任意一点距该点靠近的硅片棱边之间的距离位于硅片棱边长度1/4～1/3之间，且硅片中心区域与硅片边缘区域的分界线上所有的点距硅片棱边的最近距离相等。为了保证太阳能电池的转换效率，本实用新型对硅片的中心区域和边缘区域限定在合理的范围内，测定的方阻也应符合这个范围要求，即表现中心区域方阻高，而边缘区域方阻低。

所述边缘次栅线的宽度为50～70μm，所述中心次栅线的宽度为60～90μm。本实用新型将边缘次栅线和中心次栅线的宽度限定在一个合理的范围内，但始终应满足中心次栅线的宽度大于边缘次栅线的宽度。

所述主栅线的数量为两条。本实用新型优选设置主栅线的数量为两条，在具体设置时两条主栅线分别与设置在中心次栅线两端连接，便于主栅线与边缘次栅线连接，进而便于主栅线对边缘次栅线和中心次栅线收集到的电流进行汇集。

所述边缘次栅线和中心次栅线均平行硅片的两条横向棱边，所述主栅线平行硅片的两条纵向棱边。本实用新型在设置时将细栅线和主栅线均平行硅片的棱边，如此，便于栅线的成形，且能保证每条细栅线汇集电流在一个合理的范围内，便于电流的收集。

与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果：本实用新型针对扩散后硅片上的方块电阻往往表现为中心区域的方阻较高，而边缘区域方阻较低的缺陷，本实用新型将中心次栅线的宽度设置为大于边缘次栅线的宽度，本实用新型通过改变硅片不同区域的次栅线宽度来匹配方阻的分布，不但可以更好地发挥中心区域高方阻所带来的短波响应优势，还能减少边缘低方阻区域的遮光面积，提高电池的短路电流，同时减小边缘次栅线的宽度可以减少浆料消耗量，降低太阳能电池的生产成本。

附图说明

图1为本实用新型实施例的结构示意图。

附图中附图标记所对应的名称为：1、硅片，2、主栅线，3、边缘次栅线，4、中心次栅线。

具体实施方式

下面结合实施例及附图对本实用新型作进一步的详细说明，但本实用新型的实施方式不限于此。

实施例：

如图1所示，太阳能电池的双渐变网版结构，包括方形的硅片1，硅片1的受光面上设置有主栅线2、边缘次栅线3及中心次栅线4，其中，主栅线2、边缘次栅线3及中心次栅线4的数量均为多条，多条主栅线2相互之间平行设置，多条边缘次栅线3相互之间平行设置，多条中心次栅线4相互之间也平行设置，边缘次栅线3和中心次栅线4均与主栅线2连接。边缘次栅线3和中心次栅线4平行硅片1的两条横向棱边，主栅线2平行硅片1的两条纵向棱边，即边缘次栅线3和中心次栅线4均垂直主栅线2。

边缘次栅线3位于硅片1受光面上的边缘区域，中心次栅线4位于硅片1受光面上的中心区域，硅片1中心区域与硅片1边缘区域的分界线上的任意一点距该点靠近的硅片1棱边之间的距离位于硅片1棱边长度1/4～1/3之间，且硅片1中心区域与硅片1边缘区域的分界线上所有的点距硅片1棱边的最近距离相等。中心次栅线4的宽度大于边缘次栅线4的宽度，边缘次栅线3的宽度优选为50～70μm，中心次栅线4的宽度优选为60～90μm。主栅线2的数量优选为两条，中心次栅线4位于两条主栅线2之间，且多条中心次栅线4的两端分别与两条主栅线2连接，所有的边缘次栅线3均主栅线2连接。

如上所述，则能很好的实现本实用新型。