[实用新型]太阳能电池的同心圆环形栅线图案结构有效
申请号: | 201220242840.5 | 申请日: | 2012-05-25 |
公开(公告)号: | CN202736934U | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 姚鹏;钱腾达;顾锡淼 | 申请(专利权)人: | 嘉兴优太太阳能有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 郭国中 |
地址: | 314050 浙江省嘉兴市嘉兴市南湖*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 同心圆 环形 线图 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池,具体地,涉及太阳能电池的同心圆环形栅线图案结构。
背景技术
光伏板组件是一种暴露在阳光下便会产生直流电的发电装置,基本上主要以半导体物料(例如硅)制成的固体光伏电池组成,包括P型半导体和N型半导体。P型半导体(P指positive,带正电的):由单晶硅通过特殊工艺掺入少量的三价元素组成,会在半导体内部形成带正电的空穴;N型半导体(N指negative,带负电的):由单晶硅通过特殊工艺掺入少量的五价元素组成,会在半导体内部形成带负电的自由电子。
在P型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质。在电场的作用下,空穴是可以移动的,而电离杂质(离子)是固定不动的。N型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子。当P型和N型半导体接触时,在界面附近空穴从P型半导体向N型半导体扩散,电子从N型半导体向P型半导体扩散。空穴和电子相遇而复合,载流子消失。因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子,却有分布在空间的带电的固定离子,称为空间电荷区。P型半导体一边的空间电荷是负离子,N型半导体一边的空间电荷是正离子。正负离子在界面附近产生电场,这电场阻止载流子进一步扩散,达到平衡。
当光的频率超过某一极限频率时,受光照射的太阳能电池板表面立即就会逸出光电子,发生光电效应。当在太阳能电池板外面加一个闭合电路,加上正向电源,这些逸出的光电子全部到达阳极便形成光电流。
现有技术中的一般采用矩形的硅片生产太阳能电池组件,而矩形的硅片是从圆形硅片上切割形成的,因此会造成硅片材料的浪费,并且目前的副栅线多位平行线结构,副栅线的长度较短,不利于富集电荷。
实用新型内容
针对现有技术中的缺陷,本实用新型的目的是提供一种太阳能电池的同心圆环形栅线图案结构。
根据本实用新型的一个方面,提供一种太阳能电池的同心圆环形栅线图案结构,包括圆形硅片、以及设置在所述圆形硅片上的主栅线和副栅线,所述主栅线连接所述副栅线,其特征在于,所述副栅线呈同心的圆环状分布,所述副栅线的圆心与所述圆形硅片的圆心重合。
优选地,所述主栅线的数量为两条,两条所述主栅线之间连接有辅助栅线,其中,所述辅助栅线通过所述圆形硅片的圆心。
优选地,所述主栅线的数量为三条,位于中间的主栅线通过所述圆形硅片的圆心。
优选地,相邻的所述副栅线之间的间距从所述圆形硅片的圆心向外逐渐变大。
本实用新型的硅片形状采用圆形,因此不会因切割而造成浪费,并且对副栅线采用圆环形状,使得副栅线的长度大为增加,从而提高了对电荷富集的能力,并且每一条副栅线均至少与两条主栅线相连,连接可靠。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述,本实用新型的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
图1示出根据本实用新型的第一实施例的太阳能电池的同心圆环形栅线图案结构的结构示意图;
图2示出根据本实用新型的第二实施例的太阳能电池的同心圆环形栅线图案结构的结构示意图。
具体实施方式
图1示出根据本实用新型的第一实施例的太阳能电池的同心圆环形栅线图案结构的结构示意图,具体地,根据本实用新型提供的太阳能电池的同心圆环形栅线图案结构,包括圆形硅片1、以及设置在所述圆形硅片1上的主栅线2和副栅线4,所述主栅线2连接所述副栅线4,其特征在于,所述副栅线4呈同心的圆环状分布,所述副栅线4的圆心与所述圆形硅片1的圆心重合。
优选地,如图1所示,相邻的所述副栅线4之间的间距从所述圆形硅片1的圆心向外逐渐变大。进一步地,所述主栅线2的数量为两条,两条所述主栅线2之间连接有辅助栅线3,其中,所述辅助栅线3通过所述圆形硅片1的圆心。
本实用新型的硅片形状采用圆形,因此不会因切割而造成浪费,并且对副栅线采用圆环形状,使得副栅线的长度大为增加,从而提高了对电荷富集的能力,并且每一条副栅线均至少与两条主栅线相连,连接可靠。
图2示出根据本实用新型的第二实施例的太阳能电池的同心圆环形栅线图案结构的结构示意图,本领域技术人员可以将本实施例理解为图1所示实施例的一个变化例,具体地,本实施例与图1所示实施例的区别之处在于,在本实施例中,所述主栅线2的数量为三条,位于中间的主栅线2通过所述圆形硅片1的圆心。
以上对本实用新型的具体实施例进行了描述。需要理解的是,本实用新型并不局限于上述特定实施方式,本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变形或修改,这并不影响本实用新型的实质内容。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的