[实用新型]发光二极管装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及发光二极管装置，尤其是涉及一种抗静电能力强，光通量大的发光二极管装置。

背景技术

发光二极管（LED）由于其功率小，耗电低，寿命长等优点而广受人们关注。随着LED技术的发展，LED发光装置被用于越来越多的领域，其光通量和可靠性也越来越受到人们的关注。

LED装置通常在静电或反向电压下是很脆弱的，如附图1所示，传统技术的发光二极管装置，为了保护发光二极管芯片3不被静电或反向电压击穿，通常设计稳压二极管4，使电流可以反向流动。稳压二极管4通常采用齐纳二极管，齐纳二极管与发光二极管芯片3平行固定于发光二极管基板1上。这种结构的发光二极管装置，齐纳二极管4虽然降低了LED 芯片3被静电击穿的风险，但是吸收了部分LED芯片3的出光，同时也遮挡了部分光线的传播通路，从而在保护LED避免静电击穿的同时，也降低了产品的光通量，光强等指标。

因此，有必要提出一种新的发光二极管装置以克服上述缺陷。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种抗静电能力强，光通量大的发光二极管装置。

为了实现上述目的本实用新型采用以下技术方案：

一种发光二极管装置，包括：基板，所述基板上设置有绝缘层以及设置在所述绝缘层上的导电层；支架，所述支架形成内凹开口并与所述基板配合形成所述发光二极管装置碗杯结构的投光口；发光二极管芯片，所述发光二极管芯片设置在所述基板上并电连接所述导电层；发光二极管芯片保护件，所述发光二极管芯片保护件与所述发光二极管芯片采用并联方式电连接；并且：所述基板上设有凹槽，所述发光二极管芯片保护件置于所述凹槽中。

作为一种优选的技术方案，所述发光二极管芯片保护件为稳压二极管。

作为进一步优选，所述稳压二极管包括从齐纳二极管、雪崩二极管、开关二极管和肖特基二极管所组成的组中选取的二极管。

本实用新型的发光二极管装置，由于发光二极管芯片保护件的设计，可以有效提高发光二极管的抗静电和抗反向电流能力，并且，由于所述发光二极管芯片保护件置于基板凹槽中，可以避免芯片保护件吸收LED芯片的出光以及对光线传播通路的阻挡，在保证发光二极管抗静电能力的基础上，提高了发光二极管装置的光通量。

附图说明

图1为传统技术发光二极管装置的剖面图。

图2为本实用新型发光二极管装置实施例剖面图。

具体实施方式

下面结合附图，详细说明本实用新型发光二极管装置。

请参阅图2，发光二极管装置包括，基板1，基板1包括绝缘层和设置于绝缘层上方的导电层，导电层与外部电路电连接；支架2，支架2形成内凹开口并与基板1配合形成发光二极管装置碗杯结构的投光口；发光二极管芯片3，发光二极管芯片3设置在基板1上，并与基板1导电层电连接；发光二极管芯片保护件4，发光二极管芯片保护件4与基板1导电层电连接，为了起到保护发光二极管芯片3的作用，芯片保护件4通常与发光二极管芯片3并联；硅胶层6，硅胶层6填充支架2与基板1形成的碗杯结构，并涂覆发光二极管芯片3和发光二极管芯片保护件4，硅胶层6根据发光二极管发光要求，混合有荧光粉。

如图2所示，基板1上设有凹槽5，上述发光二极管芯片保护件4设置于凹槽5内，凹槽5可以完全容纳发光二极管芯片保护件4，从而保证发光二极管芯片保护件4不吸收发光二极管芯片3发出的光线，亦不阻挡光线传播路线。

本实用新型发光二级管装置，采用了芯片保护件4来保护发光二级管芯片3，避免发光二极管芯片3被静电或反向电流击穿，提高了发光二极管装置抗静电能力，同时，芯片保护件4置于基板凹槽5内，避免了芯片保护件4对光线的吸收和阻挡，提高了发光二极管装置的光通量。

本实用新型发光二极管装置所述芯片保护件4通常采用稳压二极管；齐纳二极管、雪崩二极管、开关二极管和肖特基二极管作为几种常见的稳压二极管，皆可应用于本实用新型发光二极管装置，不影响本实用新型发光二极管装置优点体现。

以上仅为本实用新型实施案例而已，并不用于限制本实用新型，但凡本领域普通技术人员根据本实用新型所揭示内容所作的等效修饰或变化，皆应纳入权利要求书中记载的保护范围内。