[实用新型]彩膜基板及液晶显示面板

说明书

技术领域

本实用新型涉及液晶显示技术领域，特别是指一种TFT-LCD用的彩膜基板及液晶显示面板。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示面板(TFT-LCD)是一种主要的平板显示装置。根据驱动液晶的电场方向，可分为垂直电场型和水平电场型。其中，水平电场型TFT-LCD包括：共平面切换（IPS）型TFT-LCD，边界电场切换（FFS）型TFT-LCD，尤其是FFS（Fringe Field Switching）技术不需要额外的光学补偿膜，主要改进是采用透明的ITO电极以增加透光率，并缩小电极宽度和间距。在视角的呈现上可达180度等优点，广泛用于液晶显示领域。

然而对于FFS方式的液晶显示装置，由于是在阵列基板上形成两层电极对液晶进行驱动，彩膜基板上并没有电极，因此，容易产生静电带电，使液晶的取向紊乱，所以无法尽享高质量的显示。并且，一旦由于静电带电，将无法容易的去除。

现有解决方案是在彩膜基板外表面做屏蔽电极，并对屏蔽电极施加一定的电位。但制备屏蔽电极需要增加几道工序，对成盒后的基板减薄后进行屏蔽电极的成膜工序，组装面板过后将屏蔽电极与阵列基板公共电极的导通工序等，如图1所示，屏蔽电极1形成于基板3的外表面，通过导电银胶2将屏蔽电极1与阵列基板4的公共电极连接在一起。另外屏蔽电极1裸露在外面，受外界因素的影响大，因此将会产生不合格品，造成很大的损失。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种彩膜基板及液晶显示面板，可有效防止静电的发生，并提高产品的良率。

为解决上述技术问题，本实用新的实施例提供一种彩膜基板，包括：基板、屏蔽电极、黑矩阵、彩膜层以及平坦化层；所述屏蔽电极设置于所述基板的内侧面；所述黑矩阵设置于所述屏蔽电极下方的非密封胶区域；所述彩膜层设置于所述基板的内侧面没有被所述黑矩阵和所述屏蔽电极覆盖的区域；所述平坦化层设置于所述彩膜层以及所述黑矩阵的下方，并覆盖所述黑矩阵和所述彩膜层。

其中，所述屏蔽电极与所述黑矩阵具有相同的图形。

其中，所述屏蔽电极的材料为氧化铟锡或氧化锌锡。

其中，所述黑矩阵是由树脂材料形成的黑矩阵。

其中，所述平坦化层是由可感光的负性树脂材料形成的平坦化层。

本实用新型的实施例还提供一种液晶显示面板，包括：彩膜基板、与所述彩膜基板对盒的阵列基板以及填充于所述彩膜基板和所述阵列基板之间的液晶；其中，所述彩膜基板为如上所述的彩膜基板，所述屏蔽电极与所述阵列基板的公共电极连接。

进一步地，所述屏蔽电极通过密封胶区域里的导电金球与所述阵列基板的公共电极连接。

本实用新型的上述技术方案的有益效果如下：

上述方案中，在彩膜基板的内侧制备屏蔽电极，屏蔽电极与黑矩阵图形相同，后通过密封胶里的导电金球将屏蔽电极与阵列基板上的公共电极连接在一起，如此可有效防止静电的发生，并提高产品的良率。

附图说明

图1为现有屏蔽电极与阵列基板布线连接图；

图2为本实用新型的实施例彩膜基板的结构图；

图3为本实用新型的液晶显示面板的彩膜基板与阵列基板对盒后的结构图。

［主要元件符号说明］

1：屏蔽电极

2：导电银胶

3：基板

4：阵列基板

5：黑矩阵

6：彩膜层

7：平坦化层

8：密封胶区域（Sealant）

9：导电金球

具体实施方式

为使本实用新型要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。

如图2所示，本实用新型的实施例提供一种彩膜基板，包括：基板3、屏蔽电极1（透明导电薄膜，如氧化铟锡ITO或氧化锌锡IZO）、黑矩阵5、彩膜层6以及平坦化层7；所述屏蔽电极1设置于所述基板3的内侧面；所述黑矩阵5作为掩膜层设置于所述屏蔽电极1下方的非密封胶区域；所述彩膜层6设置于所述基板3的内侧面没有被所述黑矩阵5和所述屏蔽电极1覆盖的区域；所述平坦化层7设置于所述彩膜层6以及所述黑矩阵5的下方，并覆盖所述黑矩阵5和所述彩膜层6。

其中，所述屏蔽电极1与所述黑矩阵5，具有相同的图形，使所述屏蔽电极图形对盒内电场的干扰可忽略。

其中，所述屏蔽电极1可以通过密封胶区域8里的导电金球9与阵列基板4的公共电极连接；其中所述阵列基板4是与所述彩膜基板对盒的阵列基板。