[实用新型]一种半透半反液晶显示面板及半透半反液晶显示器有效
申请号: | 201220240972.4 | 申请日: | 2012-05-25 |
公开(公告)号: | CN202794772U | 公开(公告)日: | 2013-03-13 |
发明(设计)人: | 刘尧虎 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1335 | 分类号: | G02F1/1335;G02F1/133;G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半透半反 液晶显示 面板 液晶显示器 | ||
1.一种半透半反液晶显示面板,包括对盒成型的TFT阵列基板和彩膜基板,所述TFT阵列基板和所述彩膜基板之间填充有液晶,所述彩膜基板包括公共电极层和彩膜层,所述TFT阵列基板包括由横纵交叉的栅线、数据线形成的像素单元,其特征在于,
每个像素单元的像素电极包括透射区像素电极和反射区像素电极;
每个像素单元的TFT包括第一TFT和第二TFT;
其中,所述第一TFT的栅极与栅线连接,所述第一TFT的源极与数据线连接,所述第一TFT的漏极与所述透射区像素电极连接;所述第二TFT的栅极与所述栅线连接,所述第二TFT的源极与所述第一TFT的漏极连接,所述第二TFT的漏极与所述反射区像素电极连接。
2.根据权利要求1所述的液晶显示面板,其特征在于,所述第一TFT和所述第二TFT的沟道的长宽比相同或不同。
3.根据权利要求1所述的液晶显示面板,其特征在于,
在所述彩膜基板上,所述公共电极层和所述彩膜层之间形成有第一有机层,且所述第一有机层对应所述透射区像素电极的厚度与对应所述反射区像素电极的厚度不同;
形成在所述第一有机层上的所述公共电极层到所述透射区像素电极的距离与到所述反射区像素电极的距离不同。
4.根据权利要求3所述的液晶显示面板,其特征在于,在所述彩膜基板上,对应所述透射区像素电极的公共电极层或对应所述反射区像素电极的公共电极层上形成有第二有机层;
所述第二有基层使得所述彩膜基板和所述阵列基板在所述透射区和所述反射区的距离相等。
5.根据权利要求4所述的液晶显示面板,其特征在于,所述第一有机层对应所述透射区像素电极的厚度厚于对应所述反射区像素电极的厚度;所述第二有机层形成于所述反射区像素电极对应的所述公共电极层上;
形成在所述第一有机层上的所述公共电极层到所述透射区像素电极的距离小于到所述反射区像素电极的距离;所述第二有机层到所述反射区像素电极的距离等于所述透射区像素电极对应的公共电极层到所述透射区像素电极的距离。
6.一种半透半反液晶显示器,其特征在于,包括权利要求1~5 所述的半透半反液晶显示面板。
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