[实用新型]等离子体耐蚀性构件

说明书

技术领域

本实用新型涉及等离子体耐蚀性构件。

背景技术

以往，作为等离子体耐蚀性构件，已知以氮化铝烧结体为母材，在该母材中的暴露于等离子体的表面上形成有氧化钇薄膜的构件（例如专利文献1）。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2000－129388号公报

实用新型内容

实用新型要解决的课题

然而，在使用氮化硅烧结体、氮化铝烧结体、氧化铝烧结体或碳化硅烧结体的基材作为构成构件的情况下，升温至700℃时，有时在氧化钇薄膜与构成构件的界面产生裂纹。

本实用新型是为了解决这样的课题而作出的，主要目的在于防止在升温至700℃后的薄膜与基材的界面产生裂纹。

解决课题的方案

本实用新型的等离子体耐蚀性构件为，

在氮化硅烧结体、氮化铝烧结体、氧化铝烧结体或碳化硅烧结体的基材的表面上形成有钇化合物或尖晶石的薄膜的等离子体耐蚀性构件，

在前述薄膜的表面上形成有为了支撑晶片而设置的多个凸部，

前述薄膜中的形成有前述凸部的部分的膜厚a2相对于未形成前述凸部的部分的膜厚a1的比率a2／a1满足1＜a2／a1＜1.6。

实用新型的效果

根据本实用新型，可得到在升温至700℃后的薄膜与基材的界面不产生裂纹这样的效果。特别是在比率a2／a1满足1.17≤a2／a1≤1.50的情况下，可以确实地得到该效果。

附图说明

图1是等离子体耐蚀性构件的部分剖面图。

具体实施方式

本实用新型的等离子体耐蚀性构件是在氮化硅烧结体、氮化铝烧结体、氧化铝烧结体或碳化硅烧结体的基材的表面上形成有钇化合物或尖晶石的薄膜的构件，在薄膜的表面上形成有为了支撑晶片而设置的多个凸部，该薄膜中的形成有凸部的部分的膜厚a2相对于未形成凸部的部分的膜厚a1的比率a2／a1满足1＜a2／a1＜1.6。

本实用新型的等离子体耐蚀性构件中，比率a2／a1更优选满足1.17≤a2／a1≤1.50。

本实用新型的等离子体耐蚀性构件中，钇化合物优选为氧化钇、YAG、YAM或YAL。另外，YAG为Y₃Al₅O₁₂（3Y₂O₃·5Al₂O₃），是具有石榴石晶体结构的物质。YAL为YAlO₃（Y₂O₃·Al₂O₃），是具有钙钛矿晶体结构的物质。YAM为Y₄Al₂O₉（2Y₂O₃·Al₂O₃），是单斜晶系的物质。

本实用新型的等离子体耐蚀性构件中，薄膜优选为在基材的表面上通过喷镀、离子镀、蒸镀、溶胶凝胶法或CVD形成的膜。

本实用新型的等离子体耐蚀性构件中，凸部优选为圆柱状。

本实用新型的等离子体耐蚀性构件中，薄膜的平均厚度优选为5～100μm，优选为不足基材的厚度的1％。另外，在薄膜的角部形成有段差的情况下，其段差高的部分的膜厚相对于段差低的部分的膜厚的比率优选大于1小于1.6。

本实用新型的等离子体耐蚀性构件中，基材的厚度优选为3～20mm。

本实用新型中，要求耐蚀性的环境为卤素气体气氛或卤素等离子体气体气氛。

实施例

［实验例1］

制作6种在氮化铝烧结体的基材的表面上形成有氧化钇的薄膜的等离子体耐蚀性构件。制作步骤如下。

首先，制造直径为350mm、平均厚度20mm的氮化铝烧结体。具体而言，对于平均粒径1μm、纯度99.9％的氮化铝粉末，添加平均粒径1.5μm、纯度99.9％的氧化钇粉末5重量％并混合，对混合粉末以100kgf／cm²进行单轴加压成型。通过热压法将该成型体烧结，得到氮化铝烧结体。

接着，在该氮化铝烧结体的整面喷镀纯度99.9重量％的氧化钇。其结果，得到整面被氧化钇喷镀膜包覆的氮化铝烧结体。