[实用新型]等离子体刻蚀设备有效

专利信息
申请号: 201220224678.4 申请日: 2012-05-17
公开(公告)号: CN202633210U 公开(公告)日: 2012-12-26
发明(设计)人: 王晶;李谦 申请(专利权)人: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 黄德海
地址: 100176 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 等离子体 刻蚀 设备
【权利要求书】:

1.一种等离子体刻蚀设备,其特征在于,包括:

腔体,所述腔体内限定有反应腔,所述腔体的底部的周边具有与所述反应腔连通的多个抽气孔;

静电卡盘,所述静电卡盘设在所述反应腔的底部;以及

用于向所述反应腔提供反应气体的供气系统,所述供气系统包括气体扩散件,所述气体扩散件的底面相对于其中心轴线呈倾斜角度,且所述倾斜角度为锐角,所述底面形成有多个出气孔。

2.根据权利要求1所述的等离子体刻蚀设备,其特征在于,所述出气孔均匀地分布在所述气体扩散件的底面上。

3.根据权利要求1所述的等离子体刻蚀设备,其特征在于,所述气体扩散件构造成包括多个相互连通并且相对于所述气体扩散件的中心轴线具有倾斜角度的的扩散管,每个所述扩散管的底面设有所述多个出气孔。

4.根据权利要求3所述的等离子体刻蚀设备,其特征在于,每个所述扩散管上的出气孔沿着所述扩散管的轴向方向等距离分布。

5.根据权利要求3所述的等离子体刻蚀设备,其特征在于,所述出气孔由所述气体扩散件的中心轴线向外的间距逐渐变小。

6.根据权利要求3所述的等离子体刻蚀设备,其特征在于,所述出气孔的孔径大小由所述气体扩散件的中心轴线向外依次变大。

7.根据权利要求1所述的等离子体刻蚀设备,其特征在于,所述气体扩散件沿着径向朝着所述静电卡盘的投影半径大于所述静电卡盘的半径。

8.根据权利要求1所述的等离子体刻蚀设备,其特征在于,所述气体扩散件构造为具有内凹的锥形底面,所述锥形底面与所述气体扩散件的中心轴线成倾斜角度,所述锥形底面上形成有多个均匀分布的出气孔。

9.根据权利要求3或8所述的等离子体刻蚀设备,其特征在于,所述倾斜角度在60度到90度之间。

10.根据权利要求1所述的等离子体刻蚀设备,其特征在于,所述气体扩散件绕竖向的旋转轴旋转。

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