[实用新型]气体喷淋结构

权利要求书

1.一种气体喷淋结构，用于向反应腔室导入反应气体以引起化学气相沉积反应，包括：

气体喷淋头(10)、第一气体腔和第二气体腔(102)，其中，所述第一气体腔设置于所述气体喷淋头(10)上方，以及

冷却隔热板(20)，贴合于所述气体喷淋头(10)下方，包括冷却液流道(203)，用于向该冷却液流道(203)注入冷却液以抑制所述气体喷淋结构因温差产生的热形变；

至少一个第一气体流道(11)，自所述第一气体腔向下贯通至所述反应腔室，用于将来自于所述第一气体腔的第一反应气体导入所述反应腔室，其包括上下对接的第一通道部(111)和第三通道部(112)；

至少一个第二气体流道(12)，自所述第二气体腔向下贯通至所述反应腔室，与所述第一气体流道(11)平行并分开设置，用于将来自于所述第二气体腔的第二反应气体导入所述反应腔室，其包括上下对接的第二通道部(121)和第四通道部(122)；

其特征在于，所述第一通道部(111)和第三通道部(112)对接的接口以及所述第二通道部(121)和第四通道部(122)对接的接口偏离所述气体喷淋头(10)和冷却隔热板(20)的贴合面(30)。

2.根据权利要求1所述的气体喷淋结构，其特征在于，所述第一、第二通道部(111、121)均为气体管道，所述第一、第二通道部(111、121)向下越过所述气体喷淋头(10)和冷却隔热板(20)的贴合面(30)，分别嵌入相应的第三、第四通道部(112、122)。

3.根据权利要求2所述的气体喷淋结构，其特征在于，所述第一、第二通道部(111、121)嵌入第三、第四通道部(112、122)的深度为所述第三、第四通道部(112、122)深度的10％～40％。

4.根据权利要求2所述的气体喷淋结构，其特征在于，所述第三、第四通道部(112、122)的截面直径分别超出所述第一、第二通道部(111、121)的截面直径，其超出的范围为0.5-1mm。

5.根据权利要求1所述的气体喷淋结构，其特征在于，所述第三、第四通道部(112、122)均为气体管道，所述第三、第四通道部(112、122)向上越过所述气体喷淋头(10)和冷却隔热板(20)的贴合面(30)，分别嵌入相应的第一、第二通道部(111、121)。

6.根据权利要求5所述的气体喷淋结构，其特征在于，所述第三、第四通道部(112、122)嵌入第一、第二通道部(111、121)的深度为所述第一、第二通道部(111、121)深度的10％～40％。

7.根据权利要求5所述的气体喷淋结构，其特征在于，所述第一、第二通道部(111、121)的截面直径分别超出所述第三、第四通道部(112、122)的截面直径，超出的范围为0.5-1mm。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的气体喷淋结构，其特征在于，所述第一、第二气体流道(11、12)之间的间距为1cm。

9.一种真空处理装置，用于金属有机化合物化学气相沉积，其特征在于，所述真空处理装置包括权利要求1所述的气体喷淋结构。

10.根据权利要求9所述的真空处理装置，其特征在于，所述真空处理装置为MOCVD机台。