[实用新型]一种输出功率可调节的射频功率放大器电路有效
申请号: | 201220219834.8 | 申请日: | 2012-05-15 |
公开(公告)号: | CN202652152U | 公开(公告)日: | 2013-01-02 |
发明(设计)人: | 潘文光;于云丰;肖时茂;黄伟 | 申请(专利权)人: | 无锡中科微电子工业技术研究院有限责任公司 |
主分类号: | H03F3/20 | 分类号: | H03F3/20;H03F3/189 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人: | 曹祖良 |
地址: | 214135 江苏省无锡市新区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 输出功率 调节 射频 功率放大器 电路 | ||
1.一种输出功率可调节的射频功率放大器电路,其特征是:包括一个偏置电路(21)、一个驱动级电路(22)和一个输出级电路(23);所述偏置电路(21)的输出端连接驱动级电路(22),为驱动级电路(22)提供偏置电压,驱动级电路(22)采用全差分放大器电路结构,驱动级电路(22)的输出端连接输出级电路(23),输出级电路(23)采用伪差分放大器结构,输出级电路(23)的匹配电路采用片外匹配形式,输出级电路(23)内部有控制开关,切换输出级电路(23)的两种功率输出,输出级电路(23)输出大功率给负载电路。
2.如权利要求1所述的一种输出功率可调节的射频功率放大器电路,其特征在于,所述的偏置电路(21)结构包括:第七PMOS管(M7)的源端接电源(VDD),第七PMOS管(M7)的栅端和漏端连接在一起,并连接系统提供的电流基准(IREF)的一端,电流基准(IREF)的另一端接地;第七PMOS管(M7)栅端分别连接第七一PMOS管(M71)栅端、第七三PMOS管(M73)栅端、第七五PMOS管(M75)栅端和第七七PMOS管(M77)栅端,为第七一PMOS管(M71)、第七三PMOS管(M73)、第七五PMOS管(M75)和第七七PMOS管(M77)提供偏置电压;第七一PMOS管(M71)、第七三PMOS管(M73)、第七五PMOS管(M75)和第七七PMOS管(M77)的源端均接电源(VDD),第七一PMOS管(M71)的漏端连接第七二PMOS管(M72)的源端;第七三PMOS管(M73)的漏端连接第七四PMOS管(M74)的源端,第七五PMOS管(M75)的漏端连接第七六PMOS管(M76)的源端,第七七PMOS管(M77)的漏端连接第七八PMOS管(M78)的源端;第七二PMOS管(M72)的栅端连接第三控制信号(P3),第七四PMOS管(M74)的栅端连接第二控制信号(P2),第七六PMOS管(M76)的栅端连接第一控制信号(P1),第七八PMOS管(M78)的栅端连接第零控制信号(P0),第七二PMOS管(M72)漏端、第七四PMOS管(M74)漏端、第七六PMOS管(M76)漏端、第七八PMOS管(M78)漏端、第六NMOS管(M6)的漏端和栅端连接在一起,第六NMOS管(M6)漏端接收第七二PMOS管(M72)、第七四PMOS管(M74)、第七六PMOS管(M76)、第七八PMOS管(M78)的漏端电流,第六NMOS管(M6)的栅端和漏端相连生成一个偏置电压输出,第六NMOS管(M6)源端接地。
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