[实用新型]半导体温差发电装置

说明书

技术领域

本实用新型实施例涉及发电技术，尤其涉及一种半导体温差发电装置

背景技术

半导体温差发电技术利用塞贝克(Seebeck)效应，在半导体发电芯片的热端和冷端形成温差，从而产生电能。在现有技术中，提供给半导体发电芯片的热端的热源多种多样，如：燃烧的蜡烛火焰、燃料燃烧时放出的热以及各种余热系统中产生的余热、废热（如：汽车排气管放出的热、烟道排出的废热等）。

以高温液体作为热源是半导体温差发电的一种典型实例，其相比较于其他热源有诸多优势。但是，已有技术中提供的高温液体作为热源的半导体温差发电装置也存在一定缺陷：现有技术通常采用热水作为高温液体热源，但是，即使采取了保温措施，由于产生电能时需要消耗热能，因此会造成热水温度的下降，导致半导体发电芯片热端的温度降低，热端和冷端之间的温差不断减小。使半导体温差发电装置的输出电压随着水温的变化而不稳定，无法实现长时间向待驱动的部件提供稳定和足够的驱动电压。

实用新型内容

本实用新型实施例提供一种半导体温差发电装置和照明灯，以便长时间为待驱动部件提供稳定和足够的驱动电压。

本实用新型实施例提供一种半导体温差发电装置，其中包括：

吸热器，包括吸热部及传热部，所述吸热部用于与液体热源相接触，从该液体热源吸收热量，所述传热部用于传导所述吸收部吸收的热量；

散热器，位于所述液体热源外，设置于所述吸热器的传热部上；

单级半导体发电芯片，位于所述吸热器的传热部及所述散热器之间，所述单级半导体发电芯片的热端连接所述传热部，所述单级半导体发电芯片的冷端连接所述散热器，所述单级半导体发电芯片中的电偶对的高度范围为1.0mm～3.5mm；

升压电路，与所述单级半导体发电芯片的电压输出端相连，用于将所述单级半导体发电芯片输出的电压值进行升压。

优选地，所述单级半导体发电芯片中的电偶对的高度为2.5mm。

优选地，所述升压电路的等效输入内阻与所述单级半导体发电芯片的内阻相等。

优选地，所述半导体温差发电装置还包括：用于装载液体热源的保温密闭容器，所述吸热部设置于所述保温密闭容器内，所述传热部设置于所述保温密闭容器的侧部内壁上，构成该侧部内壁的一部分。其中，所述吸热器的吸热部可以为金属胆内壁或局部金属胆内壁。

优选地，所述吸热器的吸热部为吸热片或吸热条。

本实用新型提供的半导体温差发电装置，通过将单级半导体发电芯片的电偶对的高度范围设定为1.0mm～3.5mm，使得所述单级半导体发电芯片除了具有发电功能外，还可以起到阻止保温密闭容器中的液体热源的能量通过芯片的大量输出，从而达到热量传递的缓冲目的，避免保温密闭容器内液体热源的能量消耗散失过快，保持较大的温差，延长发电时间。

附图说明

图1为本实用新型所述半导体温差发电装置实施例一的结构示意图；

图2为本实用新型所述半导体温差发电装置实施例二的结构示意图；

图3为本实用新型实施例二所述保温密闭容器的下部设置有出液口的结构示意图；

图4为本实用新型实施例二所述保温密闭容器的侧面设置有出液口的结构示意图；

图5为本实用新型所述半导体温差发电装置实施例三的结构示意图；

图6为本实用新型所述照明灯实施例的原理结构示意图。

具体实施方式

图1为本实用新型所述半导体温差发电装置实施例一的结构示意图，如图1所示，该装置包括：吸热器20、散热器30、单级半导体发电芯片40和升压电路50。其中，吸热器20包括吸热部21及传热部22，所述吸热部21用于与液体热源相接触，从该液体热源吸收热量，所述传热部22用于传导所述吸收部21吸收的热量；散热器30位于所述液体热源外，设置于所述吸热器20的传热部22上；单级半导体发电芯片40位于所述吸热器20的传热部22及所述散热器30之间，所述单级半导体发电芯片40的热端连接所述传热部22，所述单级半导体发电芯片40的冷端连接所述散热器30，如图6所示，所述单级半导体发电芯片40由P型和N型半导体的电偶对构成，该电偶对的高度h的范围为1.0mm～3.5mm，优选高度为2.5mm。升压电路50与单级半导体发电芯片40的电压输出端相连，用于将单级半导体发电芯片40输出的电压值进行升压操作。升压电路50具体是并联在半导体温差发电芯片电压输出端的正负极之间，如图1所示，经升压电路50升压后的电压值用于输出给待驱动部件，例如LED。