[实用新型]一种硅太阳能电池铝背场结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种丝网印刷晶体硅太阳能电池，具体涉及一种丝网印刷晶体硅太阳能电池的铝背场结构。

背景技术

随着现在太阳电池的材料以及制作水平的不断提高，太阳电池的少子寿命也不断增加，即少数载流子的扩散长度不断增加，当少数载流子的扩散长度与硅片厚度相当或超过硅片厚度时，背表面的复合速率对太阳电池特性的影响就很明显。

从现在的商业太阳能电池来看，为降低太阳电池的成本，提高效率，生产厂家也在不断减少硅片的厚度，以降低原材料的成本，同时为此为了提高电池的效率，必须考虑降低电池背表面的复合速度，提高长波光谱响应。同时硅片厚度下降，由于铝与硅的膨胀系数不同产生硅片翘曲，造成后续工段碎片率增加，给组件生产带来不便，所以背铝场的好坏将直接影响到太阳电池的输出特性。

采用丝网印刷背电场可有效的减少少子扩散过程中电子与空穴的复合，增大了载流子的扩散长度，提高了少子寿命；同时铝背场还具有吸杂、减少光穿透硅片，增加对长波吸收的作用。

目前硅太阳能电池采用丝网印刷的方式制备电池的正、背面电极及背面铝背场。现有硅太阳电池的背面结构如图1所示。包括两条直线型的银电极1以及分布在银电极两侧的铝背场，该铝背场包括位于两条银电极之间的第一铝背场2和位于银电极外侧的两个第二铝背场3，这种铝背场存在的问题是，在边缘的硅片位置处铝背场未能覆盖，因此不能有效的减少复合、吸杂和增加长波的吸收，对于电池片效率产生一定的影响，同时在边缘的硅铝接触处，会产生一定的应力，致使电池片翘曲，造成后续工段及组件生产中电池片破碎。

实用新型内容

实用新型目的：本实用新型的目的在于针对现有技术的不足，提供一种硅太阳电池的铝背场结构，该铝背场结构充分利用硅片特性，增加铝背场面积，有效降低电池背面的复合速率，提高长波光谱响应，并且增加了硅铝接触面积有效地释放边缘应力，减少碎片率，提高了硅片质量。

技术方案：本实用新型所述的一种硅太阳能电池铝背场结构，包括两条直线型的银电极以及分布在银电极两侧的铝背场，该铝背场包括位于两条银电极之间的第一铝背场和位于两条银电极外侧的两个第二铝背场，所述两个第二铝背场靠近硅片倒角处设置有与所述硅片倒角相对应的倒角，所述第一铝背场和两个第二铝背场与硅片接触的边缘处设置有波浪形接触部。

进一步, 所述波浪形接触部是由若干个向外凸出的半圆组成。

本实用新型与现有技术相比，其有益效果是：1、结构简单，设计合理；2、充分利用硅片特性，增加铝背场面积，有效降低电池背面的复合速率，提高长波光谱响应，提高了硅太阳电池的质量；3、边缘设计为波浪形状，增加硅铝接触面积的同时有效地释放边缘应力，减少碎片率，增加硅片质量；4、使用本实用新型，在增加硅片质量的同时可在原有硅片效率的基础上至少提高0.6%。

附图说明

图1为现有晶体硅太阳电池的铝背场结构示意图。

图2为本实用新型所述硅太阳电池的铝背场结构示意图。

具体实施方式

下面对本实用新型技术方案进行详细说明，但是本实用新型的保护范围不局限于所述实施例。

如图2所示，一种硅太阳能电池铝背场结构，包括两条直线型的银电极4以及分布在银电极两侧的铝背场，该铝背场包括位于两条银电极之间的第一铝背场5和位于两条银电极外侧的两个第二铝背场6，所述两个第二铝背场靠近硅片倒角处设置有与所述硅片倒角相对应的倒角7，所述第一铝背场和两个第二铝背场与硅片接触的边缘处设置有波浪形接触部8，所述波浪形接触部是由若干个向外凸出的半圆组成。

本实施例在原有设计的基础上充分利用硅片本身特点，将背铝场设计成倒角的样式，同时在铝硅接触部分设计成波浪状形状，有效地释放在烧结过程中产生的应力同时增大了铝硅接触面积，有效的改善了硅片边缘背表面的少子复合，提高长波光谱响应，通过实验分析，可在原有背铝场设计基础上效率提高0.6％。

如上所述，尽管参照特定的优选实施例已经表示和表述了本实用新型，但其不得解释为对本实用新型自身的限制。在不脱离所附权利要求定义的本实用新型的精神和范围前提下，可对其在形式上和细节上作出各种变化。