[实用新型]一种用于电容式触摸屏双层导电薄膜有效
申请号: | 201220213404.5 | 申请日: | 2012-05-14 |
公开(公告)号: | CN202601232U | 公开(公告)日: | 2012-12-12 |
发明(设计)人: | 李晨光;蔡荣军;于甄;吕敬波 | 申请(专利权)人: | 南昌欧菲光科技有限公司 |
主分类号: | H01B5/14 | 分类号: | H01B5/14;G06F3/044 |
代理公司: | 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 | 代理人: | 施秀瑾 |
地址: | 330000 江西省*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 电容 触摸屏 双层 导电 薄膜 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种透明导电薄膜,尤其涉及一种双层透明导电薄膜。
背景技术
氧化铟锡 (Indium-Tin Oxide ,ITO)溅射到柔性基材表面形成低电阻高可见光透过率薄膜。经酸性液蚀刻后得到不可见(对人眼而言)导电薄膜,是现代平板显示,触摸屏,加热玻璃窗不可或缺的材料。此外薄膜还可反射红外线、屏蔽紫外线和电磁波,可广泛用于屏式触控技术,太阳能、防止起雾除去霜玻璃、冰玻璃、防静电涂层等。
ITO透明导电薄膜应用于电容式触摸屏时,要求成膜的ITO膜蚀刻并形成特别电极图案,蚀刻前后颜色差或反射差(▽R)较小,即相对于人眼无法辨别差异。
目前,电容式触摸屏导电薄膜结构:基材上表面粘接层,高折射率层,绝缘层及导电层,基材上下表面加硬层。基材一般为PET,厚度:20-200μm,粘接层为SiO2或SiO2 与SiO混合物,厚度:5-20nm,高折射率层为Nb2O5或TiO2,厚度:5-15nm,绝缘层为SiO2,厚度:40-65nm,导电层为ITO,厚度:15-25nm。加硬层厚度:20μm,加硬层不影响整体曲线,起到保护PET的作用。
目前该结构的缺点在于:
(1)镀层厚,层数多,产能低下,成本高。
(2) 膜系结构复杂,影响因素较多,导致生产工艺较难控制。
(3) 对于四层结构而言,绝缘层厚度一般为40-65nm,膜层相对较脆,在触摸屏后段生产加工易发生折伤,龟裂等现象,导致产品良率低下。
发明内容
为了克服上述缺陷,本实用新型的目的在于提供一种双层透明导电薄膜结构,本膜系相对于现有技术而言,可使产能提高,工艺过程较易掌握,触摸屏生产产品良率上升。
为了达到上述目的,本实用新型采用如下技术方案:
一种用于电容式触摸屏双层导电薄膜,在柔性透明基材上镀有纳米级薄膜的粘接层,粘接层上表面镀有纳米级薄膜的透明导电层。
在柔性透明基材的上下表面设有加硬层。粘接层的厚度为5-30nm。透明导电层的厚度为15-25nm。
本实用新型的有益效果:
相对于目前触摸屏导电结构而言,本膜系结构粘接层厚度较薄,在触摸屏生产过程中有效减少了由于厚度较厚导致的折伤,龟裂等不良现象。有效的提高了触摸屏生产良率。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图1对本实用新型进行详细描述:一种用于电容式触摸屏双层导电薄膜,在柔性透明基材3上镀有纳米级薄膜的粘接层2,粘接层2上表面镀有纳米级薄膜的透明导电层1。
在柔性透明基材3的上下表面设有加硬层4。
粘接层2的厚度为5-30nm。
透明导电层1的厚度为15-25nm。
以上所述实施例仅表达了本专利的一种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本专利构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本实用新型的保护范围。因此,本专利的保护范围应以所附权利要求为准。
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