[实用新型]板式PECVD加热载板

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种硅片载板，特别涉及一种硅片在镀膜过程中的加热载板。

背景技术

板式PECVD采用上镀膜方式，硅片在镀膜过程中需要载板，目前所采用的载板为实心体，如图1和图2所示，实心体的载板限制了底部加热管的热量向硅片的传递，导致硅片表面温度过低，进而影响电池的转换效率。

实用新型内容

实用新型目的：针对上述现有技术存在的问题和不足，本实用新型的目的是提供一种板式PECVD加热载板，解决了热量不易传至硅片的问题。

技术方案：为实现上述实用新型目的，本实用新型采用的技术方案为一种板式PECVD加热载板，包括本体，在所述本体上设有第一凹槽，在所述第一凹槽中设有孔。

为了可以一板多用，在所述第一凹槽中还设有一个以上的凹槽，在距离所述本体上表面最远的凹槽中设有孔。优选有两个凹槽的载板，在所述第一凹槽中还设有第二凹槽，其中第二凹槽距离本体上表面的距离大于第一凹槽，在所述第二凹槽中设有孔。

为了适合多种规格的硅片，所述凹槽优选方形，孔优选圆形。

为了达到更优的导热效果，所述孔优选通孔。

优选地，所述凹槽和孔设置于所述本体的中心位置。

有益效果：本实用新型与现有技术相比，不仅改善了加热后导热性不足的问题，同时有效地提高了电池转换效率，还能适合多种规格的硅片，做到一板多用。

附图说明

图1为现有技术板式PECVD加热载板的俯视图；

图2为图1的主视图；

图3为本实用新型板式PECVD加热载板的俯视图；

图4为图3的主视图；

图5为现有技术板式PECVD加热载板与本实用新型板式PECVD加热载板加热时硅片上的温度比较图。

图中，1、本体，2、凹槽，3、圆形通孔。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例，进一步阐明本实用新型，应理解这些实施例仅用于说明本实用新型而不用于限制本实用新型的范围，在阅读了本实用新型之后，本领域技术人员对本实用新型的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。

如图3和图4所示，本实用新型板式PECVD加热载板与现有技术的区别在于：在本体1的中心设有凹槽2，同时在凹槽2的中心还设有圆形通孔3，可同时作为6寸和5寸的硅片载板以及实验用5寸的晶圆载板，本实用新型为一体式结构，无单独零部件，材质为石墨材质。本实用新型使电池转换效率提高了0.15%（绝对值、多晶）。本实用新型中凹槽的深度为8mm~12mm，可以有效的改善镀膜过程中的边沿色差。

如图5所示，本实用新型的圆形通孔结构使得硅片表面的峰值温度由420℃上升到550℃，当然，通孔的形状不限于圆形，还可以是方形或其它形状，但优选圆形，可作为实验用5寸的晶圆载板。