[实用新型]一种高光电转换效率的太阳能电池有效

专利信息
申请号: 201220208197.4 申请日: 2012-05-10
公开(公告)号: CN202651175U 公开(公告)日: 2013-01-02
发明(设计)人: 苍利民;万志刚;阎韬;丁万勇;刘卫庆;刘志辉;陈林濮 申请(专利权)人: 河南安彩高科股份有限公司
主分类号: H01L31/055 分类号: H01L31/055;H01L31/052
代理公司: 郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104 代理人: 时立新
地址: 455000 河南省安阳*** 国省代码: 河南;41
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摘要:
搜索关键词: 一种 光电 转换 效率 太阳能电池
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种太阳能电池,尤其涉及一种高光电转换效率的太阳能电池。

背景技术

随着能源危机及环境污染问题的日益突出,能源问题亟待解决,太阳能作为一种用之不尽、取之不竭的清洁能源逐渐引起了各国研究者的重视,太阳能电池作为能源转换装置也被各国广泛研究使用。早期的太阳能电池中,晶体硅太阳能电池作为第一代太阳能电池以转换效率高、制作工艺简单占据了较大的市场份额,但原材料匮乏等因素制约着晶体硅太阳能电池的进一步发展。第二代薄膜太阳能电池正是在这种背景下发展起来,包括非晶硅、微晶硅、铜铟镓硒、碲化镉及叠层薄膜结构,而目前使用最广泛的是硅基薄膜电池。太阳光是一种从短波长紫外光到长波长红外光的连续光谱,但只有太阳光中可见光部分可以被硅基薄膜太阳能电池充分利用,对于能量远大于硅的禁带宽度的短波长紫外光来说,一部分能量被太阳能电池利用并转化为电能,而其余的能量则转化为晶格热振动,在紫外光的照射下,硅基薄膜太阳能电池容易出现转换效率下降和电池性能衰退;对于能量低于硅的禁带宽度的长波长红外光来说,其能量不能使电子从禁带跃迁至导带,这些能量转化为热量,使电池温度升高,也会导致硅基薄膜太阳能电池转换效率下降。

目前,光致发光材料广泛使用在激光技术、光纤通讯技术、纤维放大器、光信息存储和显示等领域。光致发光材料包括上转换发光材料和下转换发光材料,其中上转换发光材料是一种能将红外光转换成可见光的材料,能够在红外光激发下发出可见光。上转换发光材料吸收的光子能量低于发射的光子能量,又称反Stokes发光材料。截至目前,上转换发光材料主要是掺杂稀土离子的固体化合物,利用稀土元素的亚稳态能级特性,吸收多个低能量的长波辐射,经转换后发出能量较高的短波辐射。而下转换发光材料是一种能够将紫外光转换成可见光的材料,能够在紫外光激发下能够发出可见光。下转换发光材料吸收高能量的短波辐射,发射低能量的长波辐射,下转换发光材料遵循Stokes定律。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种高光电转换效率的太阳能电池,能够将太阳光中不能被太阳能电池吸收的长波长红外光和短波长紫外光转换为可利用的可见光,既可以提高太阳能电池的转换效率,同时也能避免因电池温度升高而导致太阳能电池转换效率下降和电池性能衰退。

本实用新型采用下述技术方案:

一种高光电转换效率的太阳能电池,包括从下至上依次堆叠的透明绝缘基板、前电极层、光电转换层、背电极层和反射层,所述的透明绝缘基板表面和/或背电极层与反射层之间设置有光致发光材料层,反射层为金属反射层。

所述的光致发光材料层为稀土发光材料层,光致发光材料的基质材料为氧化物、氟化物、卤化物或硫化物。

所述的透明绝缘基板表面设置的光致发光材料层为下转换发光材料层,背电极层与反射层之间设置的光致发光材料层为上转换发光材料层。

所述设置在透明绝缘基板表面的下转换发光材料层位于透明绝缘基板的上表面和/或下表面。

所述的金属反射层为采用银、铝、镍、钛或其合金构成的反射层,前电极层和背电极层为透明导电氧化物。

本实用新型通过在透明绝缘基板上表面和/或下表面设置下转换发光材料层,背电极层与反射层之间设置上转换发光材料层,将太阳光中不能被太阳能电池吸收的长波长红外光和短波长紫外光转换为可利用的可见光,既提高了太阳能电池的转换效率,同时也避免了因电池温度升高而导致太阳能电池转换效率下降和电池性能衰退。

附图说明

图1为实施例1制成的高光电转换效率的太阳能电池的结构示意图;

图2为实施例2制成的高光电转换效率的太阳能电池的结构示意图;

图3为实施例3制成的高光电转换效率的太阳能电池的结构示意图。

具体实施方式

本实用新型所述的高光电转换效率的太阳能电池包括从下至上依次堆叠的透明绝缘基板、前电极层、光电转换层4、背电极层和反射层。透明绝缘基板表面和/或背电极层与反射层之间设置有光致发光材料层。透明绝缘基板上表面和/或下表面设置的光致发光材料层为下转换发光材料层2,背电极层与反射层之间设置的光致发光材料层为上转换发光材料层6。所述的透明绝缘基板可采用超白浮法玻璃1,前电极层和背电极层均为透明导电氧化物;所述的下转换发光材料层2和上转换发光材料层6为稀土发光材料层,下转换发光材料层2和上转换发光材料层6的基质材料为氧化物、氟化物、卤化物或硫化物;所述的光电转换层4是由p型硅、本征硅和n型硅堆迭形成的PIN结构;所述的反射层为采用银、铝、镍、钛或其合金构成的金属反射层。

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