[实用新型]大功率电子镇流器

说明书

技术领域

本实用新型涉及大功率电子镇流器技术领域，具体涉及一种采用有源二次检测技术抑制浪涌电流、实现软启动的大功率电子镇流器。

背景技术

大功率电子镇流器普遍采用有源功率因数校正技术在开机加电时，由于滤波电容的充电会产生很大的浪涌电流。目前，市场上大功率HID电子镇流器中抑制开机浪涌电流冲击有以下3种方案：

第一种是采用单一的负温度系数NTC热敏电阻来抑制电源接通瞬间的浪涌电流冲击，如图1，在接通电源瞬间，NTC热敏电阻其阻值较高，用来在刚接通时产生较低的浪涌电流，而热敏电阻在正常工作状况下会自然加热，其阻值也随之下降到工作阻值，可避免更多的消耗。对于小功率的电子镇流器工作电流较小，损耗不大，但在大功率电子镇流器中自身消耗较大，温升也很大，显然不合适。尤其当关断电源在快速的重新接通，热敏电阻还未完全冷却，将丧失浪涌抑制的功能，从而失去对电子镇流器的保护。

第二种是采用在桥式整流前端放置继电器（或双向三极晶闸管）与电阻R并联方式，如图2所示。开机时，通过R抑制浪涌电流，通过延时电路完成对电容C1的充电后，继电器吸合，电阻R被继电器旁路掉，从而减小完全运行时的功耗。这是目前大功率电子镇流器抑制浪涌电流的普遍方法。但是当在电压较低时，由于采用有源功率因数校正的电子镇流器具有恒功率特性，通过继电器触点的电流就会增大，使得继电器触点可能会被烧熔，从而使继电器的寿命缩短，间接减少电子镇流器的使用寿命。

第三种是在有源功率因数校正电路中采用继电器（或双向三极晶闸管）与电阻R并联来抑制电源接通瞬间的浪涌冲击，如图3所示，由于电子镇流器有源功率因数校正普遍采用升压方式，提升至400V,这样在正常工作时，通过继电器触点电流大幅度下降，增大了继电器的使用寿命。但是该方式的连接，当输入电源接通时，PFC电路会在很短的时间内将电解电容C1两端电压提升至400V，为达到较好的浪涌电流抑制效果，往往电阻R的取值都会达到10欧姆左右，当接通瞬间处于交流电的峰值附近时，电容C1两端电压达到400V时，电阻R两端的瞬时电压幅值可能会达到100V以上，此时，MOSFET管的源极和漏极之间承受的电压值达到500V以上，超过MOSFET管的耐压值，可能损坏MOSFET管，缩短电子镇流器的使用寿命。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种采用有源二次检测技术抑制浪涌电流、实现软启动的大功率电子镇流器，从而可以延长镇流器和HID灯管的寿命。

为实现上述发明目的，本实用新型采用了以下技术方案：一种大功率电子镇流器，包括串联的EMI滤波电路和整流电路串联，整流电路的输出端与第一电感L11的一端连接，第一电感L11的另一端分别与场效应管QE的漏极D、二极管D11的正极连接，其特征在于：场效应管QE的栅极G经过PFC升压电路与MCU控制电路连接，二极管D11的负极分别与第二电阻R12的一端、第一电阻R11的一端连接，第二电阻R12的另一端分别与第三电阻R13的一端和采样检测电路40连接，第一电阻R11的另一端分别与第一电容C11的正极、半桥逆变电路连接，且第一电阻R11的两端并联有继电器K的一对常开触点；半桥逆变电路与第二电感L12的一端连接，第二电感L12的另一端分别与第二电容C12的一端、HID灯H的一端连接，整流电路的一端、场效应管QE的衬底及源极S、第三电阻R13的另一端、第一电容C11的负极、半桥逆变电路的一端均接地；第二电容C12的另一端、HID灯H的另一端均接地。

所述的场效应管QE为P沟道增强型绝缘栅场效应管。

当电源接通后，通过电阻R11抑制开机浪涌电流，同时采样电路第一次检测电阻R11和电容C11的总电压，由于采样位置的变化调整至电阻R11前，采样电压不再是传统意义上的C1的电压。当总电压达到400V时，有源功率因数校正电路自动完成对400V的控制，确保不会击穿MOSFET，同时控制电路发出命令让继电器吸合，将电阻R11旁路；此后采样电路进行第二次检测，(此时由于R11被旁路，检测值即为电容C11的端电压，此时电压可能低于400V,有源功率因数校正电路自动将电压调整至400V)，当电压达到400V时，控制电路发出指令，使半桥逆变电路工作，实现真正意义上的抑制浪涌电流和软启动。

附图说明

图1-3是现有技术中的三种具体方案的电路原理图；

图4是本实用新型的电路原理图。

具体实施方式