[实用新型]一种LED聚光装饰灯具有效

专利信息
申请号: 201220206857.5 申请日: 2012-05-10
公开(公告)号: CN202580821U 公开(公告)日: 2012-12-05
发明(设计)人: 殷逢宝 申请(专利权)人: 殷逢宝
主分类号: F21S2/00 分类号: F21S2/00;F21V7/22;F21V13/04;F21Y101/02
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地址: 315040 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 led 聚光 装饰 灯具
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种装饰灯具,尤其是涉及一种LED聚光装饰灯具。

背景技术

LED因为它的色彩很丰富,体积小、耐用、节能,LED非常的适合于装饰用途。把它安装在电路板上或者柔性电缆上或者其他的材料上,LED可以用做字母灯、标志牌、轨道灯、灯管等等的光源。

但是,使用LED作为装饰光源时,如何使得被装饰物对发光二极管光线进行充分反射,达到最佳的照明效果是当前LED聚光装饰灯具未能解决的一项技术问题。

发明内容

本实用新型设计了一种LED聚光装饰灯具,其解决的技术问题现有LED聚光装饰灯具的被装饰物对发光二极管光线未能进行充分反射,没有实现最佳的照明和装饰效果。

为了解决上述存在的技术问题,本实用新型采用了以下方案: 

一种LED聚光装饰灯具,包括基座(10)、发光二极管单元(20)以及透光晶体柱(30),在所述透光晶体柱(30)中固定一立体图像(32),其特征在于:在所述基座(10)开有安装槽(11),所述发光二极管单元(20)放置在所述安装槽(11)底部,在所述安装槽(11)上部设有凸透镜(13)。

进一步,所述安装槽(11)中还设有一聚光环(12),所述发光二极管单元(20)位于所述聚光环(12)中,所述凸透镜(13)固定在所述聚光环(12)上方。

进一步,在所述立体图像(32)的外表面设有ZnS纳米荧光粉层(33)。

进一步,在所述透光晶体柱(30)底部开有反射槽(31),所述发光二极管单元(20)位于所述反射槽(31)中。

进一步,所述反射槽(31)为半圆型结构,在所述反射槽(31)的半圆型结构表面涂有ZnS纳米荧光粉层。

进一步,所述透光晶体柱(30)的结构为上粗下细,所述透光晶体柱(30)细端与所述基座(10)连接。

该LED聚光装饰灯具与传统的LED聚光装饰灯具相比,具有以下有益效果:

(1)本实用新型由于在安装槽上部设有凸透镜,该凸透镜可以将发光二极管光线集中,并且充分照射在立体图像上,使得立体图像更加鲜艳和明亮。

(2)本实用新型由于在立体图像的外表面设有ZnS纳米荧光粉层,因而发光二极管单元发出的光线经过立体图像外表面的ZnS纳米荧光粉层激活以后,立体图像将会更加鲜艳和明亮,更加适合装饰使用。

(3)本实用新型由于在反射槽的半圆型结构表面涂有ZnS纳米荧光粉层,经过ZnS纳米荧光粉层激活以后的透光晶体柱也将更加明亮和生动。

附图说明

图1是本实用新型LED聚光装饰灯具的立体结构示意图;

图2是本实用新型LED聚光装饰灯具的立体图像剖面图。

附图标记说明:

10—基座;11—安装槽;12—聚光环;13—凸透镜;20—发光二极管单元;30—透光晶体柱;31—反射槽;32—立体图像;33—ZnS纳米荧光粉层。

具体实施方式

下面结合图1和图2,对本实用新型做进一步说明:

一种LED聚光装饰灯具,包括基座10、发光二极管单元20以及透光晶体柱30,在透光晶体柱30中固定一立体图像32,在基座10开有安装槽11,发光二极管单元20放置在安装槽11底部,在安装槽11上部设有凸透镜13。本实用新型由于在安装槽上部设有凸透镜,该凸透镜可以将发光二极管光线集中,并且充分照射在立体图像上,使得立体图像更加鲜艳和明亮。

安装槽11中还设有一聚光环12,发光二极管单元20位于所述聚光环12中,凸透镜13固定在聚光环12上方,聚光环12也可以起到进一步聚光的作用。

此外,在立体图像32的外表面设有ZnS纳米荧光粉层33。本实用新型由于在立体图像的外表面设有ZnS纳米荧光粉层,因而发光二极管单元发出的光线经过立体图像外表面的ZnS纳米荧光粉层激活以后,立体图像将会更加鲜艳和明亮,更加适合装饰使用。

在透光晶体柱30底部开有反射槽31,发光二极管单元20位于反射槽31中。反射槽31为半圆型结构,在反射槽31的半圆型结构表面涂有ZnS纳米荧光粉层。本实用新型由于在反射槽的半圆型结构表面涂有ZnS纳米荧光粉层,经过ZnS纳米荧光粉层激活以后的透光晶体柱也将更加明亮和生动。

透光晶体柱30的结构为上粗下细,透光晶体柱30细端与基座10连接。上粗下细结构有助于聚光。

上面结合附图对本实用新型进行了示例性的描述,显然本实用新型的实现并不受上述方式的限制,只要采用了本实用新型的方法构思和技术方案进行的各种改进,或未经改进将本实用新型的构思和技术方案直接应用于其它场合的,均在本实用新型的保护范围内。

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