[实用新型]一种连续制备二维纳米薄膜的化学气相沉积设备

权利要求书

1.一种连续制备二维纳米薄膜的化学气相沉积设备，包括进料腔室(3)，薄膜制备腔室(4)，平衡腔室(5)，化学气相沉积腔室(6)，其特征在于：

所述的进料腔室(3)、薄膜制备腔室(4)、平衡腔室(5)和化学气相沉积腔室(6)均设有样品传送装置；

所述的进料腔室(3)设有与大气相通的阀门(30)，进料腔室(3)与薄膜制备腔室(4)之间设有阀门(31)，薄膜制备腔室(4)与平衡腔室(5)之间设有阀门(32)，平衡腔室(5)与化学气相沉积腔室(6)之间设有阀门(33)，化学气相沉积腔室(6)设有与大气相通的阀门(34)；

所述的薄膜制备腔室(4)设有物理气相沉积系统；

所述的化学气相沉积腔室(6)设有加热装置(22)和气体连接口；

所述的进料腔室(3)、薄膜制备腔室(4)、平衡腔室(5)、化学气相沉积腔室(6)均设有抽真空装置。

2.根据权利要求2所述的连续制备二维纳米薄膜的化学气相沉积设备，其特征在于所述的薄膜制备腔室(4)中的物理气相沉积系统包括离子束沉积系统、溅射沉积系统、电子束沉积系统、热蒸镀沉积系统、激光沉积系统、离子注入系统中的任意一种或二种以上的组合。

3.根据权利要求1所述的连续制备二维纳米薄膜的设备，所述的化学气相沉积腔室(6)还设有等离子体增强化学气相沉积系统、微波等离子体化学气相沉积系统、气溶胶辅助化学气相沉积系统中的任意一种或二种以上的组合。

4.根据权利要求1所述的连续制备二维纳米薄膜的设备，其特征在于所述的进料腔室(3)、薄膜制备腔室(4)和平衡腔室(5)中的至少一个腔室设有气体连接口。

5.根据权利要求1所述的连续制备二维纳米薄膜的设备，其特征在于所述的进料腔室(3)和薄膜制备腔室(4)中的至少一个腔室设有样品处理装置。

6.根据权利要求1所述的连续制备二维纳米薄膜的设备，其特征在于所述的进料腔室(3)、薄膜制备腔室(4)和化学气相沉积腔室(6)中的至少一个腔室内设有隔热屏蔽系统。

7.根据权利要求1所述的连续制备二维纳米薄膜的设备，其特征在于所述的进料腔室(3)、薄膜制备腔室(4)和化学气相沉积腔室(6)中的至少一个腔室的腔壁设有冷却系统。

8.根据权利要求1所述的连续制备二维纳米薄膜的设备，其特征在于它还设有控制系统，所述的控制系统包括样品传送控制系统、气路控制系统、真空控制系统、阀门控制系统或温度控制系统中的任意一种或二种以上的组合。

9.根据权利要求1所述的连续制备二维纳米薄膜的设备，其特征在于所述的样品传送装置包括滚轮、传送带和皮带轮中的任意一种或二种以上的组合。

10.根据权利要求1所述的连续制备二维纳米薄膜的设备，其特征在于所述的二维纳米薄膜包括石墨烯、过镀金属硫化物、硅烯、锗烯或氮化硼。