[实用新型]一种静电释放保护电路和驱动电路、集成电路有效
申请号: | 201220196094.0 | 申请日: | 2012-04-28 |
公开(公告)号: | CN202797929U | 公开(公告)日: | 2013-03-13 |
发明(设计)人: | 田光春 | 申请(专利权)人: | 快捷半导体(苏州)有限公司 |
主分类号: | H02H9/04 | 分类号: | H02H9/04;H01L27/02 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人: | 张颖玲;武晨燕 |
地址: | 215021 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 静电 释放 保护 电路 驱动 集成电路 | ||
1.一种静电释放保护电路,其特征在于,该电路包括:
在检测到静电时向驱动关闭电路发送使能信号,并将静电释放到接地节点的静电释放ESD控制电路;
根据所述使能信号去使能驱动器件的驱动关闭电路。
2.根据权利要求1所述的ESD保护电路,其特征在于,所述ESD控制电路包括:
在检测到静电时向ESD保护器件和驱动关闭电路发送使能信号的ESD检测电路;
根据所述使能信号将静电释放到接地节点的ESD保护器件。
3.根据权利要求2所述的ESD保护电路,其特征在于,所述ESD检测电路由电容与电阻串联构成;
所述ESD保护器件为金属氧化物半导体场效应晶体管MOS或晶闸管SCR。
4.根据权利要求2所述的ESD保护电路,其特征在于,所述驱动关闭电路由NMOS或NPN三极管实现,所述NMOS的栅极或NPN三极管的基极连接ESD检测电路,NMOS的漏极或NPN三极管的集电极连接驱动器件,NMOS的源极或NPN三极管的发射极连接接地节点。
5.根据权利要求1所述的ESD保护电路,其特征在于,该电路还包括:在电源正常时去使能ESD控制电路,在电源掉电时取消对ESD控制电路的去使能的电源控制电路。
6.根据权利要求5所述的ESD保护电路,其特征在于,所述电源控制电路包括:
在电源正常时向ESD关闭电路发送使能信号,在电源掉电时停止向ESD关闭电路发送使能信号的电源检测电路;
在收到电源检测电路发送的使能信号时去使能ESD控制电路,在没有收到 电源检测电路发送的使能信号时取消对ESD控制电路的去使能的ESD关闭电路。
7.一种驱动电路,其特征在于,该电路包括:
在检测到静电时去使能驱动器件,并将静电释放到接地节点的ESD保护电路;
在正常工作时输出驱动信号的驱动器件。
8.根据权利要求7所述的驱动电路,其特征在于,所述ESD保护电路包括:
在检测到静电时向驱动关闭电路发送使能信号,并将静电释放到接地节点的ESD控制电路;
根据所述使能信号去使能驱动器件的驱动关闭电路。
9.根据权利要求8所述的驱动电路,其特征在于,所述ESD控制电路包括:
在检测到静电时向ESD保护器件和驱动关闭电路发送使能信号的ESD检测电路;
根据所述使能信号将静电释放到接地节点的ESD保护器件。
10.根据权利要求9所述的驱动电路,其特征在于,所述ESD检测电路由电容与电阻串联构成;
所述ESD保护器件为MOS管或晶闸管。
11.根据权利要求9所述的驱动电路,其特征在于,所述驱动关闭电路由NMOS或NPN三极管实现,所述NMOS的栅极或NPN三极管的基极连接ESD检测电路,NMOS的漏极或NPN三极管的集电极连接驱动器件,NMOS的源极或NPN三极管的发射极连接接地节点。
12.根据权利要求8所述的驱动电路,其特征在于,所述ESD保护电路还包括:在电源正常时去使能ESD控制电路,在电源掉电时取消对ESD控制电路的去使能的电源控制电路,。
13.根据权利要求12所述的驱动电路,其特征在于,所述电源控制电路包 括:
在电源正常时向ESD关闭电路发送使能信号,在电源掉电时停止向ESD关闭电路发送使能信号的电源检测电路;
在收到电源检测电路发送的使能信号时去使能ESD控制电路,在没有收到电源检测电路发送的使能信号时取消对ESD控制电路的去使能的ESD关闭电路。
14.一种集成电路,其特征在于,所述集成电路包括:信号处理电路、驱动电路;其中,
在正常工作时根据信号的处理结果控制驱动电路输出驱动信号的信号处理电路;
在正常工作时输出驱动信号,在检测到静电时,去使能驱动器件,并将静电释放到接地节点的驱动电路。
15.根据权利要求14所述的集成电路,其特征在于,所述驱动电路包括:
在检测到静电时去使能驱动器件,并将静电释放到接地节点的ESD保护电路;
在正常工作时输出驱动信号的驱动器件。
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