[实用新型]盖板、太阳能玻璃和光伏器件有效
申请号: | 201220193347.9 | 申请日: | 2012-04-28 |
公开(公告)号: | CN202678353U | 公开(公告)日: | 2013-01-16 |
发明(设计)人: | 罗爱云;丁君;史伟杰;朴昇焕 | 申请(专利权)人: | 法国圣戈班玻璃公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/02 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 朱胜;李春晖 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 盖板 太阳能 玻璃 器件 | ||
技术领域
本实用新型涉及光学材料领域,尤其涉及一种盖板、太阳能玻璃和光伏器件。
背景技术
玻璃具有透明、强度高、不透气的特点,在日常环境中呈化学惰性,也不会与生物起作用,因此用途非常广泛。常见的玻璃包括汽车玻璃、平板玻璃、保温玻璃等。
玻璃还应用于光伏器件中,用作光伏器件中太阳能电池的盖板。参考图1,示出了一种现有技术光伏器件的示意图。所述光伏器件包括:基底11;位于基底11上的粘合层12,所述粘合层12中还设置有多个太阳能电池13,本实施例中所述太阳能电池13为晶硅电池;盖板玻璃14。所述基底11、粘合层12和盖板玻璃14构成太阳能电池多层结构。
光伏器件工作时,光投射至盖板玻璃14,之后透过所述盖板玻璃14到达粘合层12,处于粘合层12中的太阳能电池13将接收到的光能转换为电能,以实现光伏器件的功能。
为了使用安全,所述光伏器件还设置有包覆于太阳能电池多层结构端部的边框15,所述边框15与地端相连,或者所述边框15与一低电势的电源电压相连。这样,人在接触到边框15时不会发生触电危险。
由于边框15接地或与一低电势的电源电压相连,而所述太阳能电池13呈负电势,所述边框15的电势高于所述太阳能电池13的电势,所述边框15与所述太阳能电池13之间的电势差在光伏器件中形成方向自边框15至太阳能电池13的电场(如图1中箭头所示方向)。具体地,在所述盖板玻璃14中,所述电场为自上至下的电场。
在光伏器件中,所述盖板玻璃14通常采用钠钙玻璃,钠钙玻璃中包含NA+等金属阳离子。钠钙玻璃中包含Na+等金属阳离子在所述自上至下电场的作用下会朝向太阳能电池13迁移。Na+等金属阳离子可以穿过粘合层12而迁移到太阳能电池13的表面或者进入太阳能电池13内部,这会引起太阳能电池13性能的下降。
此外,基于热扩散的原因,或者,在自下至上电场的作用下,盖板玻璃14中的Na+等金属阳离子还可以从盖板玻璃14的上表面逸出,这会使盖板玻璃14表面腐蚀,造成盖板玻璃14性能的下降,降低盖板玻璃14的寿命。
实用新型内容
本实用新型解决的技术问题是防止或延缓盖板或使用所述盖板的器件的性能下降。
为了解决上述问题,本实用新型提供一种盖板,包括:具有相对的第一表面和第二表面的透光基板,所述第二表面为光入射面,所述第一表面为光出射面;位于所述透光基板的第一表面和/或第二表面、阻挡透光基板内物质逸出的阻挡层。
可选地,所述阻挡层为透光绝缘层。
可选地,所述阻挡层的光透过率大于或等于90%。
可选地,所述阻挡层的厚度在20~250nm的范围内。
可选地,所述阻挡层的厚度在20~50nm的范围内。
可选地,所述阻挡层的厚度在50~150nm的范围内。
可选地,所述透光基板为玻璃板。
可选地,所述透光基板内物质为碱金属离子或碱土金属离子。
相应地,本实用新型还提供一种太阳能玻璃,用作太阳能电池的盖板玻璃,包括:具有相对的第一表面和第二表面的玻璃板,所述的第二表面为光入射面,所述第一表面相对于第二表面更靠近所述太阳能电池;位于所述玻璃板的第一表面和/或第二表面、阻挡玻璃板内碱金属离子或碱土金属离子逸出的阻挡层。
相应地,本实用新型提供一种光伏器件,包括:内置有太阳能电池的基底;位于所述基底上的透光基板;以及阻挡所述透光基板内物质逸出的、位于透光基板和太阳能电池之间和/或位于透光基板远离所述太阳能电池一侧的阻挡层。
可选地,所述阻挡层为透光绝缘层。
可选地,所述阻挡层的光透过率大于或等于90%。
可选地,所述阻挡层的厚度在20~250nm的范围内。
可选地,所述阻挡层的厚度在20~50nm的范围内。
可选地,所述阻挡层的厚度在50~150nm的范围内。
可选地,所述透光基板为含有碱金属离子或碱土金属离子的玻璃板。
可选地,所述位于透光基板和太阳能电池之间的阻挡层与所述基底相接触。
可选地,所述位于透光基板和太阳能电池之间的阻挡层与所述透光基板相接触。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的