[实用新型]风量调节装置有效
申请号: | 201220193315.9 | 申请日: | 2012-04-28 |
公开(公告)号: | CN202705464U | 公开(公告)日: | 2013-01-30 |
发明(设计)人: | 刘东;崔娟娟;李一吾;刘俊豪 | 申请(专利权)人: | 北京七星华创电子股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/52 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王莹 |
地址: | 100015 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 风量 调节 装置 | ||
技术领域
本发明涉及加工设备技术领域,尤其涉及一种风量调节装置。
背景技术
硅外延是一种典型化学气相淀积(CVD)技术。它的工艺过程是在单晶硅衬底上沿着原来的结晶方向生长一层导电类型、电阻率、厚度和晶格结构及其完整性都符合要求的新单晶层。在外延工艺技术中,工艺腔室的温度均匀性和冷却效果是一项很重要的技术参数。在一些工艺过程中还需要阶段性改变腔室温度,以便能更好的提高生产率,此时空气流量控制装置将会起到至关重要的作用。如何能准确控制这些参数来对应工艺的需求,是所有风循环冷却过程中要解决的问题。通常使用普通风阀来解决这一问题,在减小风量的过程中风阻会快速的增加,风阻增加会带来风量的减少,这样在整个控制曲线中很难调整到一个合适的点,也很难实现不同阶段的多种风量;在外延工艺中使用的气体多数为易燃易爆气体,而普通风阀的电动执行器又存在安全隐患。
发明内容
(一)要解决的技术问题
本发明要解决的技术问题是:提供一种风量调节装置,能够在外延工艺不同阶段提供多种适合的风量。
(二)技术方案
为解决上述问题,本发明提供了一种风量调节装置,包括沿风道的轴向设有开口的支承体、可滑动地改变与所述开口重合部分面积的控制滑板、以及驱动所述控制滑板滑动的滑动调节件。
优选地,所述支承体包括位于所述控制滑板板面两侧的上板和下板、以及于所述控制滑板边缘外侧连接在所述上板和下板之间的中间隔板。
优选地,所述支承体还包括限制于所述控制滑板的滑动边缘两侧的滑块。
优选地,所述滑动调节件为气缸驱动装置,所述控制滑板与气缸驱动装置的气缸活塞连接。
优选地,所述气缸驱动装置还包括容置所述气缸活塞的气缸、以及于气缸活塞伸出的一侧固定在所述气缸上的活塞锁紧件,所述气缸通过气缸伸缩控制电磁阀与所述压缩气体供气管路连通,所述活塞锁紧件通过气缸锁紧控制电磁阀与所述压缩气体供气管路连通。
优选地,所述气缸外周设有沿气缸轴向位置可调的第一磁环和第二磁环,所述第一磁环更靠近所述活塞锁紧件设置,其中,所述气缸活塞伸出到达第一磁环时,所述第一磁环向所述气缸锁紧控制电磁阀发出锁紧信号;所述气缸活塞缩回到达第二磁环时,所述第二磁环向所述气缸锁紧控制电磁阀发出锁紧信号。
优选地,所述气缸伸缩控制电磁阀分别通过进气管与排气管与所述气缸连通,所述进气管上设有进气调速阀;所述排气管上设有排气调速阀。
优选地,所述控制滑板与所述气缸活塞之间通过运动连接件连接,所述气缸通过气缸安装板与所述支承体连接。
优选地,所述滑动调节件为螺栓调节机构,所述螺栓调节机构包括安装在所述支承件上的固定部,以及活动端与所述控制滑板连接的螺栓。
(三)有益效果
本实用新型可以实现多种不同风口开度的定位,可以很方便的调节风量的大小,能在外延工艺时实现热量分布均匀、加热与冷却的平衡、不同工艺阶段时的多种温度,避免了传统调节装置的复杂结构,和较繁琐的操作过程。
本实用新型采用气缸作为滑动调节件对控制滑板的滑动进行控制,不会产生电火花,在有易燃易爆气体的环境中没有安全隐患。
本实用新型风口是利用滑板的滑动来实现开关的,在调节过程中风口由一个开口构成,做到风阻增加比较小,控制效果理想,避免了传统百叶窗式风阀调节时靠很多窄槽过风增加风阻的情况。
附图说明
图1为根据本实用新型实施例一的结构示意图;
图2为图1的俯视图;
图3为根据本实用新型实施例一支承件与控制滑板的结构示意图;
图4为图3的A-A剖视图;
图5为根据本实用新型实施例一滑动调节件的结构示意图;
图6为根据本实用新型实施例一滑动调节件气动控制原理示意图;
其中,100:支承体;101:上板;102:下板;103:中间隔板;104:滑块;
200:控制滑板;
300:气缸驱动装置;301:气缸活塞;302:气缸;303:活塞锁紧件;304:第一磁环;305:第二磁环;306:锁紧件进气口;307:气缸伸缩控制电磁阀;308:气缸锁紧控制电磁阀;309:进气调速阀;310:排气调速阀;311:压缩气体供气管路;312:带逆流功能的减压阀;
400:运动连接件;
500:气缸安装板。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本发明进行详细说明如下。
实施例一:
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的