[实用新型]电源芯片

说明书

技术领域

本实用新型涉及电源芯片，尤其涉及电源芯片的封装结构。

背景技术

现有的电源芯片，通常包含有一颗晶片，其上混合地具有高压电路部分和低压电路部分；绝缘本体，包覆在该晶片上；八个导电端子，与该晶片电连接并伸出于该绝缘本体，该八个导电端子采用标准的八脚双列直插规格。例如，现有的一种电源芯片采用DIP8封装形式，晶片的高压电路部分包括高压功率开关管，晶片的低压电路部分包括与该高压功率开关管的控制端相连的开关控制电路，位于该绝缘本体的同一侧的四个管脚会存在与高压功率开关管相连的高压管脚与开关控制电路相连的低压管脚相邻的情形。这种结构，在电磁环境较恶劣的情景下，容易出现高压功率开关管的受控不正常，甚至导致高压功率开关管失效。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题在于克服上述现有技术存在的不足，而提出一种电源芯片，可以有效地应用于电磁环境较恶劣的情景。

本实用新型针对上述技术问题而提出的技术方案包括，提出一种电源芯片，包括：相互连接的两个载片区及分别承载在该两个载片区上的两颗晶片，一颗晶片为高压电路晶片、另一颗晶片为低压电路晶片；绝缘本体，包覆在该两个载片区及两颗晶片上；以及七个导电端子，与该两个载片区及两颗晶片电连接并伸出于该绝缘本体，该七个导电端子的排布位置与标准的八脚双列直插规格的第一、第二、第三、第四、第五、第七、第八管脚位置相对应，其中与该第七管脚位置和/或第八管脚位置相对应的导电端子是与该高压电路晶片及其载片区相连接的，而与该第一、第二、第三、第四、第五管脚位置相对应的导电端子是与该低压电路晶片及其载片区相连接的。

该高压电路晶片包括高压功率开关管；该低压电路晶片包括与该高压功率开关管的控制端相连的开关控制电路。

装载高压电路晶片的载片区的背板与高压相连。

装载高压电路晶片的载片区的背板直接通过载片区引出到与该第七管脚位置和/或第八管脚位置相对应的导电端子。

装载低压电路晶片的载片区的背板与电源地相连。

装载低压电路晶片的载片区的背板直接通过载片区引出到与该第三管脚位置相对应的导电端子。

该高压功率开关管为功率三极管，其包括作为集电极的衬底，在该衬底上形成的相互独立的至少两个连接区、在每个连接区上形成的至少一个发射极、至少一个基极引脚以及与该衬底电连接的集电极引脚，该衬底、每个基极、每个发射极及相应的衬底上的集电极引脚构成一个三极管单元；或者，该高压功率开关管为高压MOSFET，其包括作为漏极的衬底，在该衬底上形成的相互独立的至少两个连接区、在每个连接区上形成的至少一个源极、至少一个栅极引脚以及与该衬底电连接的漏极引脚，该衬底、每个栅极、每个源极及相应的衬底上的漏极引脚构成一个MOSFET单元。

该开关控制电路为脉宽调制电路，脉幅调制电路或者脉相调制电路。

与标准的八脚双列直插规格的第六管脚位置相对应的导电端子的伸出于该绝缘本体的部分是被切除的或不存在的。

该电源芯片中的高压是指电压值范围在100-1000V之间。

与现有技术相比，本实用新型的电源芯片，通过令高压电路部分与低压电路部分分别排布在两颗晶片上，并进一步，在外部电连接上，通过去除一个管脚以使高压管脚与低压管脚之间的间距增大一倍，从而可以有效地应用于电磁环境较恶劣的情景。

附图说明

图1是本实用新型的电源芯片的封装结构的结构图。

图2是本实用新型的电源芯片应用第一实施例的电原理图。

图3是本实用新型的电源芯片应用第二实施例的电原理图。

具体实施方式

以下结合附图，对本实用新型予以进一步地详尽阐述。