[实用新型]P波段200W功率放大器有效
申请号: | 201220182736.1 | 申请日: | 2012-04-26 |
公开(公告)号: | CN202550974U | 公开(公告)日: | 2012-11-21 |
发明(设计)人: | 陈羌江;吴本勇;蔡德发 | 申请(专利权)人: | 成都六三零电子设备有限公司 |
主分类号: | H03F3/24 | 分类号: | H03F3/24 |
代理公司: | 成都蓉信三星专利事务所 51106 | 代理人: | 郭霞 |
地址: | 610000 四川省成都市青*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 波段 200 功率放大器 | ||
1.一种P波段200W功率放大器,其特征在于:包括前级功放单元、推动级功放单元、末级功放单元、耦合器和监控单元,前级功放单元、推动级功放单元、末级功放单元和耦合器依次串行联接,监控单元用于监控功放单元的工作参数,实现对输出功率、反射功率、工作温度的取样和放大,完成过温、驻波过大保护及功率电平输出指示。
2.根据权利要求1所述的P波段200W功率放大器,其特征在于:所述推动级功放单元包括一个调相器、一个分配器、两只LDMOS射频功放管和一个合成器,所述射频功放管为LDMOS射频功放管,射频信号经前级功放单元后送入调相器,经调相器后送入分配器,一分二后分别送入两只射频功放管放大,放大后的射频信号经合成器合成送至末级功放单元。
3.根据权利要求1所述的P波段200W功率放大器,其特征在于:所述末级功放单元包括一个分配器、两只射频功放管和一个合成器,所述射频功放管为LDMOS射频功放管,射频功放管上有偏置及温度控制单元,射频信号经推动级功放单元送入末级功放单元的分配器,一分二后分别送入两只射频功放管放大,放大后的射频信号经合成器合成后送至耦合器。
4.根据权利要求1所述的P波段200W功率放大器,其特征在于:所述监控单元由采样单元、比较器、控制单元、和两稳压电源组成,采样单元、比较器和控制单元依次串接,采样单元的输入端与耦合器相连,控制单元的输出端与两稳压电源相连,两稳压电源分别为前级功放单元和推动级功放单元供电。
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