[实用新型]掩膜版

说明书

技术领域

本实用新型涉及光刻工艺，特别是指一种掩膜版。

背景技术

在目前的半导体领域和液晶显示领域，光刻工艺是必不可少的一步，它的主要作用是将掩膜版(mask)上的图形复制到基板上，再经过刻蚀等工艺，得到所需要的器件。

随着科学技术的发展，我们对半导体器件和液晶显示产品的小型化、轻薄化提出了更高的要求。半导体器件的小型化、液晶显示产品的TFT性能的提高和开口率的增大都与光刻工艺有着直接的关系。在光刻工艺中，如果掩膜版的线宽较大，则不能制备图案精细的半导体器件。而在液晶显示领域，由于掩膜版的线宽较宽而不能获得较窄的TFT沟道，这样会直接影响TFT的性能和像素的开口率。为了减小掩膜版的线宽，一种半导体曝光技术应运而生，该技术可以获得的最小线宽约在0.18μm，但该技术的成本较高。因此，如何在成本较低的前提下得到较窄线宽的掩膜版是目前研究的一个热点。

实用新型内容

本实用新型提供一种掩膜版，用以在成本较低的前提下能够得到较窄的线宽。

本实用新型的实施例提供技术方案如下：

一种掩膜版，包括：掩膜版基板，所述掩膜版基板上设置有透光区域和不透光区域，还包括设置于对应所述透光区域处的汇聚光线的光汇聚结构。

可选的，所述光汇聚结构为凸透镜状的透光的凸起。

可选的，所述凸起由铟锡氧化物制成。

可选的，所述光汇聚结构为凸透镜。

可选的，所述掩膜版的不透光区域设置有遮光金属层。

可选的，所述掩膜版的不透光区域设置有遮光金属氧化物层。

本实用新型的实施例具有以下有益效果：

上述方案中，通过设置使照射到掩膜版的透光区域的光汇聚的光汇聚结构，使得使用掩膜版曝光后形成的光刻胶图案的狭缝的宽度小于掩膜版的透光区域的宽度。

附图说明

图1为本实用新型所述的掩膜版的第一实施例的结构示意图；

图2为曝光工艺中光线经过图1所示的掩膜版时的示意图；

图3为本实用新型所述的掩膜版的第二实施例的结构示意图；

图4为曝光工艺中光线经过图3所示的掩膜版时的示意图。

具体实施方式

为使本实用新型的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。

如图1和图3所示，本实用新型的实施例提供一种掩膜版，包括：掩膜版基板11，所述掩膜版基板11上设置有透光区域12和不透光区域13，还包括设置于对应所述透光区域处的汇聚光线的光汇聚结构。

可选的，所述掩膜版的不透光区域13设置有遮光金属层。

或者，所述掩膜版的不透光区域13设置有遮光金属氧化物层。

其中，遮光金属层可以由金属铬制成，遮光金属氧化物层可以由氧化铬制成，基板可以由石英制成。

在第一个实施例中，如图1所示，所述光汇聚结构为凸透镜状的透光的凸起121。所述凸起121由铟锡氧化物制成。所述凸起121的焦距根据待形成的光刻胶保留区域的宽度确定。

图2为曝光工艺中光线经过图1所示的掩膜版时的示意图。可以看出，光线通过凸起部分发生折射使光路汇聚，即凸透镜形状的凸起121对光线起到汇聚作用，因此，曝光后形成的光刻胶保留区域的宽度D2小于掩膜版的透光区域的宽度D1，从而能够获得较窄线宽。调节凸起121的焦距，可以调节掩膜版的线宽，从而得到宽度较窄的光刻胶保留区域。

在另一个实施例中，如图3所示，所述光汇聚结构为凸透镜40。所述凸透镜40由透光材料制成，如玻璃或水晶。所述凸透镜40的焦距根据光刻胶保留区域的宽度要求来设定。

如图4所示，为曝光工艺中光线经过图3所示的掩膜版时的示意图。可以看出，由于凸透镜40对光线进行聚焦，因此，曝光后形成的光刻胶保留区域的宽度小于掩膜版的透光区域的宽度，实现小尺寸器件的制作。

本实用新型公开了一种高透过率、且具有光刻胶图案的狭缝补偿作用的掩膜版。所述掩膜版利用光汇聚结构，通过光汇聚结构对光的汇聚作用，从而获得线宽较窄的掩膜版，实现小尺寸器件的制作。

以上所述是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。