[实用新型]电荷补偿半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：半导体本体，具有限定竖直方向的第一表面；和布置在第一表面上的源极金属化，在竖直横截面中所述半导体本体进一步包括：

- 第一传导类型的漂移区域；

- 第二传导类型的至少两个补偿区域，每个所述补偿区域与所述漂移区域形成pn结并且与所述源极金属化低阻电连接；

- 第一传导类型的漏极区域，所述漏极区域的最大掺杂浓度高于所述漂移区域的最大掺杂浓度；以及

- 第一传导类型的第三半导体层，布置在所述漂移区域和所述漏极区域之间并且包括浮动场板和与所述第三半导体层形成pn结的第二传导类型的浮动半导体区域中的至少一个。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：第二半导体层，包括第一传导类型的半导体材料，布置在所述漂移区域和所述第三半导体层之间并且与所述漂移区域和所述第三半导体层邻接，并且所述第二半导体层的每水平面积的掺杂电荷低于所述半导体材料的每面积的击穿电荷。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中与所述漂移区域邻接的第二传导类型的本体区域布置在所述第一表面和所述至少两个补偿区域中的每个之间。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括与所述漏极区域低阻接触的漏极金属化，其中在所述源极金属化和所述漏极金属化之间施加的低于所述半导体器件的额定击穿电压的反向电压处，所述漂移区域基本上能够耗尽。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述浮动场板的侧壁和所述浮动场板的底壁中的至少一个通过介电区域与所述第三半导体层绝缘以形成电荷陷阱。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述介电区域在竖直横截面中是基本上U形的或V形的。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述浮动场板包括至少一个电荷生成中心。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述浮动场板包括空腔、多晶半导体材料、无定形半导体材料、包括晶格缺陷的半导体材料、形成深陷阱的半导体材料杂质、硅化物和金属中的至少一个。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述浮动场板布置在所述浮动半导体区域下面。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述浮动场板与所述浮动半导体区域间隔开。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述至少两个补偿区域在竖直方向上基本上沿所述漂移区域延伸。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述至少两个补偿区域中的每个在竖直横截面中被形成为基本上竖直取向的柱和基本上竖直取向的条形平行六面体中的一个。

13.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述浮动半导体区域在竖直横截面中被形成为基本上竖直取向的柱和基本上竖直取向的条形平行六面体中的一个。

14.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第三半导体层被布置在所述漂移区域下面。

15.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第三半导体层包括彼此竖直叠置的至少两个间隔开的浮动半导体区域。

16.一种半导体器件，包括半导体本体，所述半导体本体包括：

- 第一表面，限定竖直方向；

- 第一半导体层，延伸到所述第一表面并且包括pn补偿结构；

- 第二半导体层，与所述第一半导体层邻接，包括第一传导类型的半导体材料，并且第二半导体层的每水平面积的掺杂电荷低于所述半导体材料的每面积的击穿电荷；以及

- 第一传导类型的第三半导体层，与所述第二半导体层邻接并且包括自充电电荷陷阱、浮动场板和与所述第三半导体层形成pn结的第二传导类型的半导体区域中的至少一个。

17.根据权利要求16所述的半导体器件，其中所述第一半导体层具有第一传导类型并且包括第二传导类型的至少两个补偿区域，所述至少两个补偿区域中的每个与所述第一半导体层的第一部分形成pn结，所述第一半导体层的第一部分布置在所述至少两个补偿区域之间并且与所述至少两个补偿区域形成pn补偿结构。