[实用新型]用于照明的高频交流LED灯有效
| 申请号: | 201220158653.9 | 申请日: | 2012-04-16 |
| 公开(公告)号: | CN202889695U | 公开(公告)日: | 2013-04-17 |
| 发明(设计)人: | 刘晓博;邱胜顺;陈万昆 | 申请(专利权)人: | 刘晓博 |
| 主分类号: | H05B37/02 | 分类号: | H05B37/02 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 314000 浙江省嘉*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 照明 高频 交流 led | ||
技术领域
本发明属于LED光源领域,尤其涉及一种用于照明的交流LED灯。
背景技术
直流LED为封装产业的研究主流,研究方向以改善芯片与基板(SLUG)之间的热阻为方向,如覆晶与基板封装等,芯片部分则是提升内外部量子效率或光萃取,一般以LED材料的角度作为研究方向,但直流LED具有以下缺点:
1.而目前的直流LED仅能承受低压直流,高压或交流都可能使得发光二极管损坏,故使用上都必须配合直流转换电路才能用于市电系统。
2.低压直流发光二级管正向导通发光,反向低压有漏电流但不发光。必须将发光二级管元件串并联使用提高反向击穿电压,以防止反向电压过高损坏发光二级管。该结构单个LED损坏将严重影响回路,造成同一串联组的发光二级管不亮。为减少该情况,需要减少串联二极管数目,但是相对的会使得电路变长,损耗变大,往往造成末端电压不足,亮度不均匀。
3.大功率低压直流的LED芯片易因为静电(ESD)使得瞬间逆向电压升高造成损坏,例如AlInGaN。美国专利第6547249B2号专利,利用外加一个反向并联的二级管来产生保护电路的作用。
4.将多个直流LED串联可直接接到220V交流,但仅具有单边伏安特性曲线;且由于2、3所述缺点,串入交流中,易被反向击穿。
交流LED具有双边的伏案特性曲线,能接入交流电压,不易被反向击穿。 但是,目前的交流LED具有如下缺点:
1.将直流LED按图1所述串并联的交流LED,由于LED正向等效电阻Rs较小,不能直接接入交流电压,需要串联电抗。若采用电感,由于工作频率为50Hz很低,需要高电感值。若采用电阻,电压越高串联电阻越大,电阻会消耗大量电能,同时电阻不能续流,造成闪烁和较大谐波。
2.采用将一个晶圆分割为多个微晶粒,各晶粒间绝缘,利用导电材料串并联的单芯片交流LED。一个晶圆分割为微晶粒后,正向等效电阻Rs提高约h倍(h为晶圆面积比上微晶粒面积),再通过串联,大大提高了正向区工作电阻(提高h2倍)。利用该特殊结构,直接接于高压交流。但该芯片具有成本过高、晶粒间绝缘困难、过于集中的封装方式导致散热困难等缺点。
发明内容
本发明提供一种用于照明的高频交流LED灯。将该高频LED灯串联限流电感或接入自耦变压器后直接接入高频交流电压,由于工作频率远高于工频交流,串联小电感即可得到大阻抗,可直接接入高压高频交流,无需串联大电阻,解决了普通交流LED限流困难的问题,提高了能效;工作频率高,LED灯的明暗交替特别快,且由于电感的续流作用及荧光粉的余辉效应,减缓了LED灯的明暗交替。是一种节能产品。
一种高频交流LED灯。其特征是所述高频交流LED具有如下特征:
特征1:采用一个至多个单芯片交流LED串联的电路拓扑或一个至多个直流LED串联为一串,两串反向并联为一组,一组至多组串联的电路拓扑。
特征2:工作频率高于工频交流。
所谓特征1单芯片交流LED是将一个晶圆分割为多个微晶粒,各晶粒间绝缘,利用导电材料串并联的单芯片交流LED。
所谓特征1交流LED是图1中mn个直流LED串联为一串,两串反向并联为一组,N组串联的交流LED。
本发明有益效果是:解决了普通交流LED限流困难的问题。多芯片串联的策略,解决了单芯片高压交流LED过于集中的封装导致散热困难、晶粒间绝缘困难的问题。改变了LED驱动电路设计为恒流恒功率电路的直流驱动模式,不仅可与传统荧光灯电子镇流电路兼容,在无需更改任何电路的情况下,直接替换普通荧光灯管,还可采用调频、双极性脉宽调制等控制技术,容易实现可调光和智能化的照明系统。
附图说明
图1是本发明提供的直流LED组成的高频交流LED电路拓扑。
图2是本发明提供的新型LED灯用于荧光灯电子镇流器电路原理图。
具体实施方式
图2是本发明提供的新型LED灯用于荧光灯电子镇流器电路原理图。
本发明提供一种高频交流LED灯,下面结合附图,对该灯的工作过程做详细说明。应该强调的是,下述说明仅仅是示例性的,而不是为了限制本发明的范围及其应用。
图1是直流LED组成的高频交流LED电路拓扑。图1中,所述高频交流LED工作过程和步骤为:
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