[实用新型]单端输入差分输出的射频低噪声放大器有效
| 申请号: | 201220148640.3 | 申请日: | 2012-04-10 |
| 公开(公告)号: | CN202652150U | 公开(公告)日: | 2013-01-02 |
| 发明(设计)人: | 沈剑均;杨阳;叶松 | 申请(专利权)人: | 江苏天源电子有限公司 |
| 主分类号: | H03F3/189 | 分类号: | H03F3/189;H03F3/45 |
| 代理公司: | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人: | 朱戈胜 |
| 地址: | 215123 江苏省苏州市苏州工*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 输入 输出 射频 低噪声放大器 | ||
1.一种单端输入差分输出的射频低噪声放大器,其特征在于:包括单端输入的第一主放大电路I、单端输入的第二主放大电路II和辅助调节平衡性的负反馈电路III;所述负反馈电路III是交流信号加法器;
所述第一主放大电路I是以共源放大N型晶体管MN1和共栅放大N型晶体管MN2为核心的放大电路;所述第二主放大电路II是以共源放大N型晶体管MN3和共栅放大N型晶体管MN4为核心的放大电路;晶体管MN1和MN3的栅极分别经射频信号阻断电路后连接外部偏置电路的控制电压Vb1和Vb2;晶体管MN2和MN4的栅极分别经射频信号阻断电路后连接外部偏置电路的控制电压Vb3和Vb4;
射频输入信号RFin交流耦合至输入口电感Lg的信号输入端,电感Lg的信号输出端连接晶体管MN1的栅极;晶体管MN1的漏极和晶体管MN2的源极连接;电感Ld1的一端和晶体管MN2的漏极连接,电感Ld1的另一端连接电源VDD;
晶体管MN3的栅极通过栅源电容C1与晶体管MN1的漏极连接,晶体管MN3的源极通过电感Ls与晶体管MN1的源极连接,晶体管MN3的漏极与晶体管MN4的源极连接,电感Ld2的一端和晶体管MN4的漏极直接相连,电感Ld2的另一端连接电源VDD;
所述晶体管MN2的漏极作为输出端口RFoutp,晶体管MN4的漏极作为输出端口RFoutn;交流信号加法器的两输入端分别连接输出端口RFoutp和输出端口RFoutn,交流信号加法器的输出端连接晶体管MN3的栅极,把第一主放大电路I和第二主放大电路II的两路输出信号的差值反馈到MN3的栅极,用于调整两路输出信号的平衡性;
所述晶体管MN3的源极经隔离接地;所述晶体管MN2的栅极经隔离接地;所述晶体管MN4经隔离接地。
2.根据权利要求1所述的单端输入差分输出的射频低噪声放大器,其特征是所述晶体管MN3的源极与地之间的隔离方式是晶体管MN3的源极与地之间连接接地电感Lgnd。
3.根据权利要求1所述的单端输入差分输出的射频低噪声放大器,其特征是所述作为负反馈电路的交流信号加法器包括:N型晶体管MN5、MN6、MN7,P 型晶体管MP1和MP2,电容C7和电阻R5;
晶体管MN5的栅极通过耦合电路分别连接输出端口RFoutp和RFoutn;晶体管MN5和MN6的栅极分别经射频信号阻断电路后连接外部偏置电路控制电压Vb5;晶体管MN7的栅极分别经射频信号阻断电路后连接外部偏置电路控制电压Vb6;
所述晶体管MN5的源极和MN6的源极连接,且它们的源极连接晶体管MN7的漏极;晶体管MN7的源极接地;
所述晶体管MP1的漏极连接电源VDD,晶体管MP1的源极与晶体管MN5的漏极连接,晶体管MP1的源极与栅极连接;
所述晶体管MP2的漏极连接电源VDD,晶体管MP2的源极与晶体管MN6的漏极连接,晶体管MP1的栅极与晶体管MP2的栅极连接;
所述晶体管MP2的源极作为负反馈电路的输出端口,该输出端口一方面通过耦合电路和第二主放大器电路II中晶体管MN3的栅极相连,另一方面依次经过电阻R5和电容C7反馈至晶体管MN5的栅极。
4.根据权利要求3所述的单端输入差分输出的射频低噪声放大器,其特征是所述晶体管MN5的栅极连接的耦合电路是电容。
5.根据权利要求3所述的单端输入差分输出的射频低噪声放大器,其特征是所述负反馈电路的输出端口连接的耦合电路是电容。
6.根据权利要求1或3所述的单端输入差分输出的射频低噪声放大器,其特征是射频信号阻断电路是起阻断射频信号作用的高阻值电阻。
7.根据权利要求3所述的单端输入差分输出的射频低噪声放大器,其特征是电感Ld1和Ld2是相同的,晶体管MN1和MN3尺寸相同,晶体管MN2和MN4尺寸相同,晶体管MN5和MN6尺寸相同,晶体管MP1和MP2尺寸相同。
8.根据权利要求1或3或7所述的单端输入差分输出的射频低噪声放大器,其特征是第一主放大电路I、第二主放大电路II和负反馈电路III全都集成在一块芯片里,射频输入信号RFin和输出信号RFoutp、RFoutn是通过金属键合线与外部 电路相连,在芯片内部是与负反馈电路III直接连接;电源VDD和地线GND分别通过金属键合线与片外的电源和地分别相连。
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