[实用新型]一种内存电压控制电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种内存电压控制电路。

背景技术

MOS管，即：金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。

脉冲宽度调制(PWM)，是英文“Pulse Width Modulation”的缩写，简称脉宽调制，是利用微处理器的数字输出来对模拟电路进行控制的一种非常有效的技术，广泛应用在从测量、通信到功率控制与变换的许多领域中。

内存是计算机中重要的部件之一，它是与CPU进行沟通的桥梁。计算机中所有程序的运行都是在内存中进行的，因此内存的性能对计算机的影响非常大。内存(Memory)也被称为内存储器，其作用是用于暂时存放CPU中的运算数据，以及与硬盘等外部存储器交换的数据。只要计算机在运行中，CPU就会把需要运算的数据调到内存中进行运算，当运算完成后CPU再将结果传送出来，内存的运行也决定了计算机的稳定运行，如何实现内存成本更低，性价比更高的运行，人们一直在寻找更经济的电路。

实用新型内容

为了解决以上的问题，本实用新型提供一种内存电压控制电路。

本实用新型公开了一种内存电压控制电路，包括与内存相连的开关电路，与所述开关电路相连的限流电路，所述的限流电路包括两个串接在一起的组合MOS管，所述的组合MOS管栅极外接所述的开关电路，源极串接后输出所述内存需要的电压。

在本实用新型所述的内存电压控制电路中，所述的开关电路为PWM桥式开关电路。

在本实用新型所述的内存电压控制电路中，所述的开关电路与所述的组合MOS管栅极间具有限流电阻。

在本实用新型所述的内存电压控制电路中，所述的限流电路电路还包括滤波电路，与所述的源极相连接。

实施本实用新型的内存电压控制电路，具有以下有益的技术效果：

电路更简约，成本更低。

附图说明

图1为本实用新型实施例一种内存电压控制电路模块方框图。

图2为图1中限流电路的电路图。

具体实施方式

为详细说明本实用新型的技术内容、构造特征、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图详予说明。

目前市面上显卡上memory电压主要通过开关PWM IC配合High/Lower Side MOS(俗称上桥/下桥)来实现，由于目前的H/L side单独的MOS来配合的话，可以承受50安培的电流，但是目前普通的显卡的memory需求的电流不会超过20安培，显得有些浪费和奢侈。

请参阅图1，一种内存电压控制电路，包括：内存10、开关电路20、限流电路30。

内存10、开关电路20、限流电路30依次相连。

限流电路30的具体电路，请参阅图2，限流电路30包括两个串接在一起的组合MOS管，组合MOS管栅极3及栅极8外接所述的开关电路，源极串接后输出所述内存需要的电压。

本实用新型中，开关电路为PWM桥式开关电路。

开关电路与组合MOS管栅极3及栅极8间具有限流电阻R1及电阻R2。

限流电路电路还包括滤波电路，与组合MOS管源极相连接，滤波电路由电感L1、电阻R3以及电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5组成。

实施本实用新型的内存电压控制电路，具有以下有益的技术效果：

电路更简约，成本更低。

上面结合附图对本实用新型的实施例进行了描述，但是本实用新型并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本实用新型的启示下，在不脱离本实用新型宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，这些均属于本实用新型的保护范围之列。