[实用新型]具温度补偿功能的恒流驱动电路有效
申请号: | 201220145233.7 | 申请日: | 2012-04-07 |
公开(公告)号: | CN202600546U | 公开(公告)日: | 2012-12-12 |
发明(设计)人: | 李桂宏 | 申请(专利权)人: | 李桂宏 |
主分类号: | G05F1/567 | 分类号: | G05F1/567 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人: | 殷红梅 |
地址: | 214072 江苏省无锡市滨湖*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 温度 补偿 功能 驱动 电路 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种恒流驱动电路,尤其是一种具温度补偿功能的恒流驱动电路。
背景技术
要确保LED使用寿命必须使用恒流驱动电路。晶体管的基极和发射极之间的电压往往会随着环境温度的变化而变化,因此必须进行温度补偿。
现有技术解决该问题的方法包括采用比较器做反馈控制,并用能隙基准源作为比较器的偏置,达到温度补偿的目的。或者通过外接负温度系数热敏电阻,达到温度补偿的目的。
现有技术实现温度补偿功能有两种技术方案:
1、采用比较器做反馈控制,并用能隙基准源作为比较器的偏置,该技术方案不足之处在于:比较器电路需要稳定的供电电源和偏置电压,电路复杂,成本较高。
2、外接负温度系数热敏电阻,该技术方案不足之处在于:外置热敏电阻离散性很大,很难补偿到位。
发明内容
本实用新型的目的是克服现有技术中存在的不足,提供一种具温度补偿功能的恒流驱动电路,能够自动补偿温度变化引起的驱动电流变化,实现恒流驱动功能。
按照本实用新型提供的技术方案,所述具温度补偿功能的恒流驱动电路,包括阳极和阴极,其特征是,还包括:恒流驱动管、反馈控制晶体管、电流取样电阻、发射极电流负反馈电阻、偏置电阻、栅极保护二极管,恒流驱动管漏极接阳极,恒流驱动管漏极和栅极之间接偏置电阻,恒流驱动管源极通过电流取样电阻接阴极,阴极通过栅极保护二极管接恒流驱动管栅极,反馈控制晶体管集电极接恒流驱动管栅极,反馈控制晶体管发射极通过发射极电流负反馈电阻与阴极连接,反馈控制晶体管基极连接恒流驱动管源极。所述反馈控制晶体管基极与恒流驱动管源极之间连接基极保护电阻。
所述恒流驱动管、反馈控制晶体管、电流取样电阻、基极保护电阻、发射极电流负反馈电阻、偏置电阻、栅极保护二极管、阳极和阴极集成在一个芯片里。
本实用新型的优点是:所述电流取样电阻采用负温度系数电阻,当温度升高时电阻变小;所述发射极负反馈电阻采用正温度系数电阻,当温度升高时电阻变小大;反馈控制晶体管的基极和发射极之间的电压随着温度升高降低;所述具温度补偿功能的恒流驱动电路自动补偿温度变化引起的驱动电流变化,实现了恒流驱动功能。
附图说明
图1是具温度补偿功能的恒流驱动电路图。
图2是无基极保护电阻的具温度补偿功能的恒流驱动电路图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明。
如图2所示,本实用新型包括阳极A和阴极K,以及:恒流驱动管T1、反馈控制晶体管T2、电流取样电阻R1、发射极电流负反馈电阻R3、偏置电阻R4、栅极保护二极管D1,恒流驱动管T1漏极接阳极A,恒流驱动管T1漏极和栅极之间接偏置电阻R4,恒流驱动管T1源极通过电流取样电阻R1接阴极K,阴极K通过栅极保护二极管D1接恒流驱动管T1栅极,反馈控制晶体管T2集电极接恒流驱动管T1栅极,反馈控制晶体管T2发射极通过发射极电流负反馈电阻R3与阴极K连接,反馈控制晶体管T2基极连接恒流驱动管T1源极。
如图1所示,在图2的基础上在所述反馈控制晶体管T2基极与恒流驱动管T1源极之间连入基极保护电阻R2。
所述电流取样电阻R1是负温度系数多晶电阻。所述发射极电流负反馈电阻R3是正温度系数注入电阻。所述栅极保护二极管D1反向电压大于6伏、小于20V。所述反馈控制晶体管T2代替比较器做反馈控制。
所述恒流驱动管T1、反馈控制晶体管T2、电流取样电阻R1、基极保护电阻R2、发射极电流负反馈电阻R3、偏置电阻R4、栅极保护二极管D1、阳极A、阴极K相互电连接并集成在一个芯片里。
电流取样电阻R1上的压降为VR1,发射极电流负反馈电阻R3为VR3,VR1=VBE+VR3,流经恒流驱动管T1的电流I0=VR1/R1=(VBE+VR3)/R1。式中VBE为反馈控制晶体管T2的基极和发射极之间的电压,具负温度系数特性。
随着环境温度升高,VBE减小;电流取样电阻R1减小,VR1减小;由于VR1的减小量不足以弥补VBE的减小量,所以增设了发射极电流负反馈电阻R3。随着环境温度升高,发射极电流负反馈电阻R3增大,VR3增大,进一步弥补VBE的减小量,从而维持I0不变。
随着环境温度降低,VBE增大;电流取样电阻R1增大,VR1增大;VR1的增大量不足以弥补VBE的减小量。同时,发射极电流负反馈电阻R3减小,VR3减小,进一步弥补VBE的增大量,从而维持I0不变。
以上所述实施例表达了本实用新型的优选实施方式,其描述较为具体和祥细,但并不能因此而理解为本实用新型专利范围的限制;在不脱离本实用新型构思的前提下,做出的若干变形和改进,比如:修改恒流驱动管T1、反馈控制晶体管T2为多个晶体管并联,修改基极保护电阻R2、发射极电流负反馈电阻R3、偏置电阻R4为多个电阻串联或者并联,仍属于本实用新型的保护范围。
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