[实用新型]发光二极管的植物生产装置有效

专利信息
申请号: 201220140162.1 申请日: 2012-03-31
公开(公告)号: CN202587966U 公开(公告)日: 2012-12-12
发明(设计)人: 宋健民 申请(专利权)人: 铼钻科技股份有限公司
主分类号: A01G9/20 分类号: A01G9/20
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 梁挥;常大军
地址: 中国台湾新竹县湖*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 植物 生产 装置
【权利要求书】:

1.一种发光二极管的植物生产装置,其特征在于,包含有:

一暗室,具有一容置空间及多个发光二极管,该多个发光二极管设置于该容置空间内,并且提供一光线照亮该容置空间;

一发电装置,设置于该暗室外的一大气环境中,该发电装置接收该大气环境的一太阳光,并且将该太阳光转换为一电能后供应至该多个发光二极管;

一集气装置,连接于该容置空间及该大气环境之间,该集气装置将该大气环境的一二氧化碳气体输送至该容置空间内,以及将该容置空间内的一氧气排出至该大气环境中;以及

一给水装置,连接于该暗室,该给水装置自该暗室外输送一水体至该容置空间内。

2.根据权利要求1所述的发光二极管的植物生产装置,其特征在于,该暗室设置于地面下、水面下或山洞内。

3.根据权利要求1所述的发光二极管的植物生产装置,其特征在于,该多个发光二极管为蓝光发光二极管及/或红光发光二极管。

4.根据权利要求3所述的发光二极管的植物生产装置,其特征在于,该多个蓝光发光二极管为光线波长主峰介于420-520纳米之间的发光二极管。

5.根据权利要求3所述的发光二极管的植物生产装置,其特征在于,该多个红光发光二极管为光线波长主峰介于600-700纳米之间的发光二极管。

6.根据权利要求1所述的发光二极管的植物生产装置,其特征在于,还包含一植物生长架,设置于该容置空间内,该多个发光二极管设置于该植物生长架上。

7.根据权利要求6所述的发光二极管的植物生产装置,其特征在于,该植物生长架间隔设置有多个承载盘,并且每一该承载盘具有相对的一第一表面及一第二表面,该多个发光二极管设置于至少一该承载盘的该第二表面,令该光线照射至另一该承载盘的该第一表面。

8.根据权利要求7所述的发光二极管的植物生产装置,其特征在于,还包含至少一太阳能板,该太阳能板设置于另一该承载盘的该第一表面,并收集该光线。

9.根据权利要求1所述的发光二极管的植物生产装置,其特征在于,还包含一蓄电装置,电性连接于该暗室及该发电装置,该电能储存于该蓄电装置或供应至该暗室。

10.根据权利要求1所述的发光二极管的植物生产装置,其特征在于,还包含进行调节该容置空间内的温度及湿度的一空调装置,设置于该容置空间内。

11.根据权利要求1所述的发光二极管的植物生产装置,其特征在于,该发电装置为可挠式太阳能电池。

12.根据权利要求11所述的发光二极管的植物生产装置,其特征在于,该发电装置为铜铟镓硒薄膜太阳能电池。

13.根据权利要求1所述的发光二极管的植物生产装置,其特征在于,每一该发光二极管具有一发光层,该发光层由一金属化合物半导体所组成,该金属化合物半导体具有一金属及一化合物,该金属选自于铟、镓及锗其中之一或其组合,该化合物选自于氮、磷及砷其中之一或其组合。

14.根据权利要求13所述的发光二极管的植物生产装置,其特征在于,该金属化合物半导体为氮化铟镓、磷化铟镓及砷化铟镓其中之一。

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