[实用新型]导电结构、薄膜晶体管、阵列基板和显示装置有效
| 申请号： | 201220138478.7 | 申请日： | 2012-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN202678317U | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 郑在纹;黄秋平;林盛实;金童燮;徐朝焕;徐华伟;陈正伟;薛建设 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/45;H01L29/49 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 黄灿;姜精斌 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导电 结构 薄膜晶体管 阵列 显示装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种导电结构，其特征在于，包括：
由铜或铜合金形成的铜层；
用于阻挡所述铜层的铜离子向外扩散的阻挡层；
用于阻挡外部离子扩散至所述铜层的防扩散层，所述防扩散层设置在所述铜层与所述阻挡层之间。
2.如权利要求1所述的导电结构，其特征在于，所述阻挡层的材料为钼合金，所述防扩散层的材料为钼。
3.如权利要求1或2所述的导电结构，其特征在于，所述阻挡层的厚度为 至 所述防扩散层的厚度为 至
4.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括栅电极、源电极和漏电极，所述栅电极、源电极和漏电极中的至少一者采用权利要求1至3任一项所述的导电结构。
5.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，包括：
基板；
形成在所述基板上的薄膜晶体管阵列、栅极线和数据线，所述薄膜晶体管阵列包括多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅电极、源电极和漏电极；
在由所述栅极线和所述数据线交叉界定出的像素区域还形成有像素电极；
其中，所述栅极线与对应的栅电极连接，所述数据线与对应的源电极连接，所述像素电极与对应的漏电极连接；
所述数据线、源电极、栅极线、栅电极和漏电极中的至少一者采用权利要求1至3任一项所述的导电结构。
6.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求5所述的薄膜晶体管阵列基板。
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