[实用新型]基于Impinjr1000芯片的超高频RFID读写器模块有效
| 申请号： | 201220135819.5 | 申请日： | 2012-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN202795408U | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 章小城;郑贤忠;焦红爱 | 申请（专利权）人： | 中船重工(武汉)凌久高科有限公司 |
| 主分类号： | G06K17/00 | 分类号： | G06K17/00 |
| 代理公司： | 武汉金堂专利事务所 42212 | 代理人： | 胡清堂 |
| 地址： | 430074 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 impinjr1000 芯片 超高频 rfid 读写 模块 | ||
1.一种基于Impinjr1000芯片的超高频RFID读写器模块, 其特征在于：其由射频电路、基带控制电路（1）和电源管理电路，基带控制电路通过串行接口和射频电路相连接，对射频电路的工作参数进行设置和管理；电源管理电路为射频电路和基带控制电路提供5.0V、3.3V、1.8V直流电源供电。
2.根据权利要求1所述的基于Impinjr1000芯片的超高频RFID读写器模块，其特征在于：所述射频电路包栝:射频发射电路（2）、功率检测电路（3）和射频接收电路（4）；所述的射频发射电路（2）的射频收芯片，微波开关，天线输出端口和基带控制电路（1）相连，射频发射电路（2）的射频收发芯片和功率检测电路（3）的反向功率检测，衰减网络，射频接收电路（4）的巴伦相连，所述的射频发射电路（2）的30db定向耦合器和功率检测电路（3）的反向功率检测，衰减网络相连，射频发射电路（2）的10db定向耦合器和射频接收电路（4）的衰减网络相连。
3.根据权利要求1所述的基于Impinjr1000芯片的超高频RFID读写器模块，其特征在于：所述基带控制电路（1），其MCU选用Atmel AT91SAM7S256的高性能32位精简指令ARM，连接的4个天线采用分时的工作方式，增加了读写器的有效空间覆盖范围；同时通过串行方式与射频电路（2、3、4）相连接,对外提供USB和UART接口。
4.根据权利要求1所述的基于Impinjr1000芯片的超高频RFID读写器模块，其特征在于：所述电源管理电路，其外部供电电源为9V，通过开关电源稳压芯片TPS54286转换为5.5V和3.8V，然后通过低压差线性稳压芯片LP38692-1.8、LP38692-3.3 、LP38692-5.0转换为模块内部所需的射频器件供电,其中MCU的3.3V供电电流较小，没有选用单独的电源稳压芯片。
5.根据权利要求2所述的基于Impinjr1000芯片的超高频RFID读写器模块，其特征在于：所述的射频接收电路（4）包括:巴伦，带通滤波和衰减网络。
6.根据权利要求2所述的基于Impinjr1000芯片的超高频RFID读写器模块，其特征在于：所述的功率检测电路（3）包栝:反向功率检测，衰减网络。
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