[实用新型]一种阵列基板的外围电路、阵列基板及液晶显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板的外围电路、阵列基板及液晶显示装置。 

背景技术

在薄膜晶体管液晶显示（Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，TFT-LCD）阵列基板的外围电路中，组成外围电路的基极引线和栅极引线均有保护层，在TFT阵列基板与彩膜基板对盒工艺后，还包括沿彩膜基板的切割线将彩膜切割掉一部分，使阵列基板上的外围电路裸露在外面，以便进行后续电路检测及制作模组(Module)。 

阵列基板的外围电路有两种布线方式：栅极引线和基极引线双层交替布线，以及栅极引线或基极引线单层布线。双层交替布线是指基极引线位于栅极引线之上，从左到右栅极引线和基极引线交替布线以免栅极引线和基极引线之间信号的串扰，即栅极引线和基极引线位于阵列基板上的同一区域。单层布线是指基极引线和栅极引线均位于基板之上，基极引线和栅极引线之间没有叠加，即基极引线和栅极引线位于阵列基板上的不同区域。 

阵列基板外围电路采取双层交替布线具体为：外围电路的栅极引线在制作TFT的栅极Gate层时制作，基极引线在制作TFT的源极和漏极（SD）层时制作。由于基极引线位于栅极引线之上，彩膜基板和阵列基板对盒后，在切割彩膜基板的过程中，很容易将位于阵列基板靠上的基极引线损坏。 

现有技术双层布线的外围电路截面图如图1所示，包括：基板10上的栅极引线20、位于栅极引线20上的栅极绝缘层30、位于栅极绝缘层30上的基极引线40，以及位于基极引线40上的钝化保护层50。由于栅极引线20位于 阵列基板的底层，基极引线40位于栅极引线20之上，栅极引线20同时受栅极绝缘层30和钝化保护层50的保护，保护层较厚，在TFT阵列基板与彩膜基板对盒后，沿彩膜基板的切割线切割彩膜时，不容易将栅极引线20损坏。但是，基极引线40仅受钝化保护层50的保护，保护层较薄，厚度一般在几纳米左右，并且钝化保护层50为氧化硅或者氮化硅绝缘层，这类绝缘层的硬度较低。因此，对于硬度较低且厚度较薄的钝化保护层50，在切割彩膜以露出其下面的阵列基板上的外围电路时，容易将钝化保护层50下面的基极引线甚至栅极引线切断，导致液晶显示装置良品率的降低。 

同理，单层布线的外围电路，其基极引线上面的保护层只有一层且为钝化保护层（氧化硅或者氮化硅绝缘层），栅极引线上面的保护层有两层，分别为栅极绝缘层和钝化保护层，彩膜切割工艺很容易将外围电路的钝化层损伤，将外围电路的基极引线或栅极引线损坏。 

综上所述，现有技术阵列基板的外围电路无论采取双层交替布线还是单层布线，在阵列基板与彩膜基板对盒后，切割彩膜时，因外围电路的保护电路较薄，并且硬度较低，很容易将外围电路损坏，降低液晶显示装置的良品率。 

实用新型内容

本实用新型实施例提供一种阵列基板的外围电路、阵列基板及液晶显示装置，用以避免在彩膜基板切割工艺过程中，对阵列基板上的外围电路的破坏，增加液晶显示装置的良品率。 

本实用新型实施例提供的一种阵列基板的外围电路，包括：形成在基板上位于外围区域的电路层，以及位于所述电路层上的第一电路保护层； 

该外围电路还包括：位于所述第一电路保护层上，用于保护所述电路层的第二电路保护层。 

较佳地，所述电路层包括： 

位于基板上外围区域的栅极引线； 

位于所述栅极引线上的栅极绝缘层； 

位于所述栅极绝缘层上的基极引线。 

较佳地，所述电路层包括： 

位于基板外围区域上的栅极引线； 

位于所述栅极引线上的栅极绝缘层； 

位于基板外围区域上的基极引线。 

较佳地，所述第二电路保护层为金属层或金属氧化物层。 

较佳地，所述第二电路保护层为制作阵列基板的像素电极层时保留像素电极层位于外围区域的且覆盖电路层的相应部分全部或者部分像素电极层，且与所述阵列基板上的像素电极相绝缘。 

较佳地，所述第二电路保护层为制作阵列基板像素电极层之后，专门在外围电路区域设置的一层外围电路保护层。 

较佳地，所述第二电路保护层覆盖阵列基板的整个外围区域，或 

所述第二电路保护层覆盖所述外围电路对应的区域；或 

所述第二电路保护层覆盖所述外围电路中基极引线对应的区域；或 

所述第二电路保护层覆盖所述外围电路中基极引线和栅极引线所对应的区域。