[实用新型]一种基板及显示装置有效
申请号: | 201220130422.7 | 申请日: | 2012-03-30 |
公开(公告)号: | CN202736920U | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 宋勇 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/13;G02F1/1362;G02F1/1335 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人: | 王黎延;周义刚 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及基板设计领域,尤其涉及到一种基板及显示装置。
背景技术
目前,在薄膜场效应晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD)行业中,无论是笔记本业务还是显示器业务,普遍都采用由背光源提供亮度的设计方案,图1为现有背光源结构示意图,如图1所示,背光源包括的部件有:铁框11、液晶屏(panel)12、膜材13、导光板14、胶框15五大类部件,其中,panel的外围驱动电路除印制电路板(Printed Circuit Board,PCB)、柔性电路板(COF)外,会在TFT基板内设置扇形走线,用于外部电路与内部TFT电路之间的连接,panel外围电路如图2所示。
现有液晶模块的结构中,panel是放置在胶框上面,并用铁框固定垂直于panel水平面的Z方向,由于目前panel在组装前需要进行切割,切割后进行磨边处理,但是,由于技术原因,不可避免的会在panel周边产生一些毛刺,从而在产品进行组装时,会掉落形成凸点,导致panel周边的TFT玻璃破裂,扇形电路发生断裂,从而使液晶产品无法使用。
另外,panel放置在胶框上面,由于胶框是注塑成型,当胶框成型后,需要对注塑毛刺进行清理,毛刺的判断主要是由人工判断,所以对于毛刺的判断标准存在一定的差异,这就导致panel的放置面存在一定的凸点,并且,在背光源组装时,为了很好的固定膜材,会增加一个胶带,目前胶带采用人工贴附,容易发生贴附错位的问题,这样也会导致产品panel放置面的凸点。如图3所示,当panel放置在存在凸点的胶框或放置面时,外力压迫很容易使panel裂片,进而使扇形电路断路,导致液晶产品无法使用。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型的主要目的在于提供一种基板及显示装置,能够保证采用实用新型所述基板及显示装置的产品在扇形电路断裂导致断路的情况下正常使用,提高产品质量,增加产品竞争力。
为达到上述目的,本实用新型的技术方案是这样实现的:
一种基板,包括:基体、位于基体之上的扇形电路层、以及位于扇形电路层之上的非固态导电层,其中,所述非固态导电层中的非固态导电材料设置在扇形电路层中扇形电路走线的上方。
该基板还包括:位于非固态导电层之上的、防止非固态导电材料流出的上保护层;和/或位于基体之下的、防止非固态导电材料流出的下保护层。
所述基体上未设置非固态导电材料的地方填充不导电的隔垫材料。
所述基体上未设置非固态导电材料的地方不填充隔垫材料,所述非固态导电材料为半固化的液态导电材料。
所述非固态导电材料为银胶。
所述扇形电路层中的扇形电路走线直接与基体及非固态导电层接触,且扇形电路走线之间填充不导电的隔垫材料。
所述扇形电路层中的扇形电路走线与基体和/或非固态导电层之间设置子保护层,且扇形电路走线之间填充不导电的隔垫材料。
所述上保护层、和/或下保护层、和/或子保护层的保护材料为硅胶或UV胶。
所述基板为TFT基板或彩膜基板。
一种显示装置,该显示装置包括TFT基板和彩膜基板,所述TFT基板和/或彩膜基板为上述的基板。
本实用新型所述的基板及显示装置,在基板中扇形电路层上方增加一非固态导电层,当基板发生破裂导致扇形电路发生断裂时,非固态导电层的非固态导电材料流入裂缝,保证产品在扇形电路断裂的情况下正常使用,从而能够提高产品质量,增加产品竞争力。
附图说明
图1为现有背光源结构示意图;
图2为panel外围电路示意图;
图3为panel破裂原理示意图;
图4为本实用新型所述基板的结构示意图;
图5为本实用新型一实施例所述基板的结构示意图;
图6为本实用新型另一实施例所述基板的结构示意图;
图7为在扇形电路层上面设置银胶的示意图;
图8为在银胶上方设置硅胶的示意图;
图9为在基体背面设置硅胶的示意图;
图10为正常状态下基板的示意图;
图11为扇形电路断裂时基板的示意图;
图12为扇形电路断裂后基板的示意图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的