[实用新型]半导体封装基板有效
| 申请号： | 201220130311.6 | 申请日： | 2012-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN202549828U | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 胡迪群;詹英志;林俊廷 | 申请（专利权）人： | 欣兴电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 | ||
1.一种半导体封装基板，其特征在于，该半导体封装基板包括：
基板本体，其具有相对的两表面，该两表面上具有线路层，而至少一表面上的线路层具有多个第一与第二电性接触垫：
绝缘保护层，其设于该基板本体及该线路层上，且于该绝缘保护层上形成有开孔，以令该些第一与第二电性接触垫外露于该些开孔；
第一导电柱，其设于该些开孔中的第一电性接触垫上；
第二导电柱，其设于该些开孔中的第二电性接触垫上，且该第二导电柱的高度高于该第一导电柱的高度；
第一导电结合层，其形成于该第一导电柱上，以令该第一导电柱与第一导电结合层形成第一外接结构；以及
第二导电结合层，其形成于该第二导电柱上，以令该第二导电柱与第二导电结合层形成第二外接结构，使该第一外接结构的高度等于该第二外接结构的高度。
2.根据权利要求1所述的半导体封装基板，其特征在于，该线路层还具有多个焊垫。
3.根据权利要求1所述的半导体封装基板，其特征在于，该些第一与第二导电柱为金属柱。
4.根据权利要求3所述的半导体封装基板，其特征在于，该金属柱为铜柱。
5.根据权利要求1所述的半导体封装基板，其特征在于，该第一与第二导电结合层为导电膏。
6.根据权利要求5所述的半导体封装基板，其特征在于，该导电膏为铜膏。
7.根据权利要求1所述的半导体封装基板，其特征在于，该封装基板还包括形成于该第一与第二外接结构上的表面处理层。
8.根据权利要求7所述的半导体封装基板，其特征在于，形成该表面处理层的材质为电镀镍/金、化镍浸金或化镍钯浸金。
9.根据权利要求7所述的半导体封装基板，其特征在于，该表面处理层为位于内层的化镀铜层及位于外层的电镀铜层。
10.根据权利要求7所述的半导体封装基板，其特征在于，该表面处理层的厚度大于3um。
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