[实用新型]内嵌电极的多阶沟槽式电场屏蔽功率MOSFET

权利要求书

1.一种内嵌电极的多阶沟槽式电场屏蔽功率MOSFET，其特征在于，该MOSFET由多个单位晶胞所组成，且这些单位晶胞的任意一个的结构包含：

基板；

外延层，设置于该基板的一侧；

栅极沟槽单元，具有第一阶栅极沟槽与第二阶栅极沟槽；

源极沟槽单元，具有第一阶源极沟槽与第二阶源极沟槽；

第一屏蔽井区，植入于该外延层中，且该第一屏蔽井区包覆该栅极沟槽单元与该源极沟槽单元；

第二屏蔽井区，植入于该外延层中，且该第二屏蔽井区包覆该源极沟槽单元的至少一部分；

基体接面，设置于该第一屏蔽井区的一侧，且该基体接面在该源极沟槽单元两侧形成重掺杂区；

源极接面，设置于该基体接面的一侧，且该源极接面设置于该栅极沟槽两侧；以及

绝缘层，设置于该源极接面的一侧，且该绝缘层填入该栅极沟槽与该源极沟槽。

2.如权利要求1所述的功率MOSFET，其特征在于，还包含栅极端电极，且该栅极端电极内嵌于该栅极沟槽单元。

3.如权利要求2所述的功率MOSFET，其特征在于，该栅极电极内嵌于该第一阶栅极沟槽或该第一阶栅极沟槽与该第二阶栅极沟槽内。

4.如权利要求3所述的功率MOSFET，其特征在于，该第二阶栅极沟槽与该第二阶源极沟槽的至少一个的宽度分别地窄于或等于该第一阶栅极沟槽与该第一阶源极沟槽的至少一个的宽度。

5.如权利要求4所述的功率MOSFET，其特征在于，该第一屏蔽井区为N型屏蔽井区，以及该第二屏蔽井区为P型屏蔽井区、ν型屏蔽井区、或π型屏蔽井区的其中之一。

6.如权利要求4所述的功率MOSFET，其特征在于，该第二屏蔽井区通过该第一源极沟槽与该第二源极沟槽，并经由多次性植入或局部性植入且未 驱入，用以形成多阶的该第二屏蔽井区。

7.如权利要求6所述的功率MOSFET，其特征在于，该绝缘层包该源极接面的至少一部分。

8.如权利要求6所述的功率MOSFET，其特征在于，该重掺杂区、该源极接面的至少一部分与该源极沟槽单元形成源极接点区。

9.如权利要求6所述的功率MOSFET，其特征在于，该基体接面为P型基体接面、该源极接面为N⁺型源极接面，以及该重掺杂区为P⁺型重掺杂区。

10.如权利要求6所述的功率MOSFET，其特征在于，还包含源极端电极，且该源极端电极内嵌于该源极沟槽单元。

11.如权利要求10所述的功率MOSFET，其特征在于，该源极端电极内嵌于该第一阶源极沟槽或该第一阶源极沟槽与该第二阶源极沟槽内。