[实用新型]具有新型终端结构的超结半导体器件

权利要求书

1.一种具有新型终端结构的超结半导体器件，在所述半导体器件的俯视平面上，包括位于半导体基板上的有源区及终端保护区，所述终端保护区环绕包围有源区；所述终端保护区内设有第二导电类型第二阱区，所述第二导电类型第二阱区与有源区内的第二导电类型第一阱区等电位连接；其特征是：

所述有源区内包括有源区超结结构，终端保护区内包括终端保护区超结结构；

在所述半导体器件的截面上，所述终端保护区超结结构位于半导体基板的第一导电类型漂移区内；终端保护区超结结构包括第一导电类型第二柱及第二导电类型第二柱，第一导电类型第二柱与第二导电类型第二柱在第一导电类型漂移区内规则交替邻接排布，第一导电类型第二柱与第二导电类型第二柱由半导体基板的第一主面垂直向下在第一导电类型漂移区内延伸；第二导电类型第二柱对应邻近有源区的端部与第二导电类型第二阱区相交叠，以通过第二导电类型第二阱区与第二导电类型第一阱区等电位连接。

2.根据权利要求1所述的具有新型终端结构的超结半导体器件，其特征是：在所述半导体器件的截面上，有源区超结结构位于半导体基板的第一导电类型漂移区内；有源区超结结构包括第一导电类型第一柱及第二导电类型第一柱，所述第一导电类型第一柱与第二导电类型第一柱在第一导电类型漂移区内规则交替邻接排布，且第二导电类型第一柱与第一导电类型漂移区上部的第二导电类型第一阱区等电位连接；在第二导电类型第一阱区上方设有绝缘介质层，所述绝缘介质层覆盖有源区、终端保护区对应半导体基板的第一主面；在第一主面上方设置若干源极接触孔，在源极接触孔上方淀积源极金属，所述源极金属覆盖在绝缘介质层与有源区对应的表面上，并填充在源极接触孔内，源极金属与第一导电类型漂移区内的第二导电类型第一阱区欧姆接触；源极金属通过第二导电类型第一阱区与终端保护区内的第二导电类型第二阱区电连接。

3.根据权利要求1所述的具有新型终端结构的超结半导体器件，其特征是：在所述半导体器件的截面上，所述有源区内的第二导电类型第一阱区与终端保护区内的第二导电类型第二阱区为同一制造层，第二导电类型第二阱区与有源区最外侧的第二导电类型第一阱区接触后相互连通，以使得第二导电类型第二阱区与第二导电类型第一阱区等电位连接。

4.根据权利要求1所述的具有新型终端结构的超结半导体器件，其特征是：在所述半导体器件的俯视平面上，终端保护区内第二导电类型第二柱对应远离有源区的端部与第二导电类型第二阱区不交叠，且第二导电类型第二柱与第二导电类型第二阱区不交叠部分，在由有源区指向终端保护区的方向上延伸距离不小于第二导电类型第二柱在由半导体基板第一主面垂直向下在第一导电类型漂移区内延伸的距离。

5.根据权利要求1所述的具有新型终端结构的超结半导体器件，其特征是：在所述半导体器件的截面上，所述有源区内任意有源区超结结构的深度及宽度均相同。

6.根据权利要求1所述的具有新型终端结构的超结半导体器件，其特征是：在所述半导体器件的截面上，所述有源区包括平面型MOS结构或沟槽型MOS结构。

7.根据权利要求2所述的具有新型终端结构的超结半导体器件，其特征是：所述有源区内第二导电类型第一柱的宽度与第一导电类型第一柱宽度的比值与终端保护区内第二导电类型第二柱的宽度与第一导电类型第二柱宽度的比值相等。