[实用新型]制备铜铟镓硒薄膜的等离子体协助硒化装置有效
申请号: | 201220124624.0 | 申请日: | 2012-03-29 |
公开(公告)号: | CN202499904U | 公开(公告)日: | 2012-10-24 |
发明(设计)人: | 任宇航 | 申请(专利权)人: | 尚越光电科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/448;C23C16/452;C23C16/455;C23C16/30;H01L31/18 |
代理公司: | 北京市盛峰律师事务所 11337 | 代理人: | 赵建刚 |
地址: | 311121 浙江省杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制备 铜铟镓硒 薄膜 等离子体 协助 化装 | ||
1.一种制备铜铟镓硒薄膜的等离子体协助硒化装置,其特征在于,包括:进气系统、热蒸发炉、等离子体发生装置、硒化炉和出气系统;所述热蒸发炉的腔体安装有第一石英管,所述等离子体发生装置的腔体安装有第二石英管,所述硒化炉的腔体安装有第三石英管,所述进气系统、所述第一石英管、所述第二石英管、所述第三石英管和所述出气系统顺次连通。
2.根据权利要求1所述的制备铜铟镓硒薄膜的等离子体协助硒化装置,其特征在于,所述进气系统为不锈钢进气管;所述出气系统为不锈钢出气管。
3.根据权利要求2所述的制备铜铟镓硒薄膜的等离子体协助硒化装置,其特征在于,所述进气系统还包括:第一阀门;所述第一阀门安装在所述不锈钢进气管的进气管口处。
4.根据权利要求1所述的制备铜铟镓硒薄膜的等离子体协助硒化装置,其特征在于,在所述第一石英管的管内放置有石墨坩埚。
5.根据权利要求1所述的制备铜铟镓硒薄膜的等离子体协助硒化装置,其特征在于,在所述第二石英管和所述第三石英管之间还安装有热丝管;所述热丝管的进口端与所述第二石英管连通,所述热丝管的出口端与所述第三石英管连通。
6.根据权利要求1所述的制备铜铟镓硒薄膜的等离子体协助硒化装置,其特征在于,在所述第二石英管和所述第三石英管的相接处还安装有第二阀门。
7.根据权利要求1所述的制备铜铟镓硒薄膜的等离子体协助硒化装置,其特征在于,在所述第三石英管的管内安装有插槽。
8.根据权利要求1所述的制备铜铟镓硒薄膜的等离子体协助硒化装置,其特征在于,在所述第三石英管的出口端安装有压力表。
9.根据权利要求1所述的制备铜铟镓硒薄膜的等离子体协助硒化装置,其特征在于,在所述第三石英管的出口端还连通有冷阱。
10.根据权利要求9所述的制备铜铟镓硒薄膜的等离子体协助硒化装置,其特征在于,所述冷阱包括:内管和外管;所述内管内置在所述外管的内部;所述外管连通有进水口和出水口;所述内管的进管口与所述第三石英管的出口端连通,所述内管的出管口与所述出气系统连通。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的