[实用新型]制备铜铟镓硒薄膜的等离子体协助硒化装置有效

专利信息
申请号: 201220124624.0 申请日: 2012-03-29
公开(公告)号: CN202499904U 公开(公告)日: 2012-10-24
发明(设计)人: 任宇航 申请(专利权)人: 尚越光电科技有限公司
主分类号: C23C16/44 分类号: C23C16/44;C23C16/448;C23C16/452;C23C16/455;C23C16/30;H01L31/18
代理公司: 北京市盛峰律师事务所 11337 代理人: 赵建刚
地址: 311121 浙江省杭州*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 制备 铜铟镓硒 薄膜 等离子体 协助 化装
【权利要求书】:

1.一种制备铜铟镓硒薄膜的等离子体协助硒化装置,其特征在于,包括:进气系统、热蒸发炉、等离子体发生装置、硒化炉和出气系统;所述热蒸发炉的腔体安装有第一石英管,所述等离子体发生装置的腔体安装有第二石英管,所述硒化炉的腔体安装有第三石英管,所述进气系统、所述第一石英管、所述第二石英管、所述第三石英管和所述出气系统顺次连通。

2.根据权利要求1所述的制备铜铟镓硒薄膜的等离子体协助硒化装置,其特征在于,所述进气系统为不锈钢进气管;所述出气系统为不锈钢出气管。

3.根据权利要求2所述的制备铜铟镓硒薄膜的等离子体协助硒化装置,其特征在于,所述进气系统还包括:第一阀门;所述第一阀门安装在所述不锈钢进气管的进气管口处。

4.根据权利要求1所述的制备铜铟镓硒薄膜的等离子体协助硒化装置,其特征在于,在所述第一石英管的管内放置有石墨坩埚。

5.根据权利要求1所述的制备铜铟镓硒薄膜的等离子体协助硒化装置,其特征在于,在所述第二石英管和所述第三石英管之间还安装有热丝管;所述热丝管的进口端与所述第二石英管连通,所述热丝管的出口端与所述第三石英管连通。

6.根据权利要求1所述的制备铜铟镓硒薄膜的等离子体协助硒化装置,其特征在于,在所述第二石英管和所述第三石英管的相接处还安装有第二阀门。

7.根据权利要求1所述的制备铜铟镓硒薄膜的等离子体协助硒化装置,其特征在于,在所述第三石英管的管内安装有插槽。

8.根据权利要求1所述的制备铜铟镓硒薄膜的等离子体协助硒化装置,其特征在于,在所述第三石英管的出口端安装有压力表。

9.根据权利要求1所述的制备铜铟镓硒薄膜的等离子体协助硒化装置,其特征在于,在所述第三石英管的出口端还连通有冷阱。

10.根据权利要求9所述的制备铜铟镓硒薄膜的等离子体协助硒化装置,其特征在于,所述冷阱包括:内管和外管;所述内管内置在所述外管的内部;所述外管连通有进水口和出水口;所述内管的进管口与所述第三石英管的出口端连通,所述内管的出管口与所述出气系统连通。

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