[实用新型]一种基于掺杂氧化锌薄膜的电阻式存储器有效
| 申请号： | 201220124500.2 | 申请日： | 2012-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN202585542U | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 李红霞;季振国;席俊华;毛启楠 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 杜军 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 掺杂 氧化锌 薄膜 电阻 存储器 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于掺杂氧化锌薄膜的电阻式存储器，其特征在于：该存储器由重掺硅衬底、掺杂氧化锌薄膜、金属薄膜电极构成，掺杂氧化锌薄膜位于重掺硅衬底、金属薄膜电极之间，重掺硅衬底作为电阻式存储器的下电极，金属薄膜电极作为电阻式存储器的上电极。
2.如权利要求1所述的电阻式存储器，其特征在于：重掺硅衬底的电阻率小于0.1Ω·cm。
3.如权利要求1所述的电阻式存储器，其特征在于：掺杂氧化锌薄膜的厚度范围为10～100nm。
4.如权利要求1所述的电阻式存储器，其特征在于：掺杂氧化锌薄膜中掺杂所形成的氧化物的标准吉布斯自由能低于Zn金属氧化形成ZnO的标准吉布斯自由能。
5.如权利要求1所述的电阻式存储器，其特征在于：金属薄膜电极为在温度100℃下呈固体的金属材料。
6.如权利要求5所述的电阻式存储器，其特征在于：所述的金属材料选用金、铂、铜、铝、钛或镍。
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