[实用新型]顶针盖结构有效
| 申请号： | 201220122043.3 | 申请日： | 2012-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN202549811U | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 陈世伟 | 申请（专利权）人： | 苏州均华精密机械有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市吴中区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 顶针 结构 | ||
1.一种顶针盖结构，其是应用于具有晶粒的晶圆，其特征在于，该顶针盖结构包含有：
一个盖体，其顶面具有至少一个孔，该盖体的顶面进一步具有一个晶粒顶出区，该盖体相对于该晶粒顶出区，该盖体更进一步具有至少一个长边与至少一个短边，该长边的长度除以该短边的长度的比值大于1。
2.根据权利要求1所述的顶针盖结构，其特征在于：该盖体的顶面进一步具有至少一个气道，该气道与该孔相通。
3.根据权利要求1所述的顶针盖结构，其特征在于：该盖体的形状为多边形。
4.根据权利要求2所述的顶针盖结构，其特征在于：该盖体的形状为椭圆形、长方形、菱形、六边形或八边形。
5.根据权利要求1所述的顶针盖结构，其特征在于：该晶圆为8或12英寸的晶圆，该晶粒的宽度小于2mm，该晶粒的长度大于25mm。
6.一种顶针盖结构，其是应用于具有晶粒的晶圆，其特征在于，该顶针盖结构包含有：
一个盖体，其顶面具有至少一个孔，该盖体的顶面进一步具有一个晶粒顶出区，该盖体相对于该晶粒顶出区，该盖体更进一步具有至少一个长边与至少一个短边，该长边的长度除以该短边的长度的比值大于1.5。
7.根据权利要求6所述的顶针盖结构，其特征在于：该盖体的顶面进一步具有至少一个气道，该气道与该孔相通。
8.根据权利要求6所述的顶针盖结构，其特征在于：该盖体的形状为多边形。
9.根据权利要求6所述的顶针盖结构，其特征在于：该盖体的形状为椭圆形、长方形、菱形、六边形或八边形。
10.根据权利要求6所述的顶针盖结构，其特征在于：该晶圆为8或12英寸的晶圆，该晶粒的宽度小于2mm，该晶粒的长度大于25mm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
