[实用新型]一种新型晶硅电池片单焊加热台有效
| 申请号： | 201220110243.7 | 申请日： | 2012-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN202549805U | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 乔德睿;刘朝;罗布特 | 申请（专利权）人： | 东营光伏太阳能有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司： | 东营双桥专利代理有限责任公司 37107 | 代理人： | 王锡洪 |
| 地址： | 257000 山东省东营*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 电池 片单焊 加热 | ||
【权利要求书】：
1.一种新型晶硅电池片单焊加热台，其特征是：主要由铝合金板（1）、第一加热硅胶板（3）、第二加热硅胶板（4）、智能温控仪（8）组成，所述的铝合金板（1）上设有两个加热硅胶板，分别是第一加热硅胶板（3）和第二加热硅胶板（4），第一加热硅胶板（3）和第二加热硅胶板（4）的内部含有用于控制温度的硅胶加热丝，两个加热硅胶板分别通过电缆（5）与智能温控仪（8）相连。
2.根据权利要求1所述的一种新型晶硅电池片单焊加热台，其特征是：所述的第一加热硅胶板（3）和第二加热硅胶板（4）之间设有间隙（6）。
3.根据权利要求1或2所述的一种新型晶硅电池片单焊加热台，其特征是：所述的第一加热硅胶板（3）的面积小于第二加热硅胶板（4）的面积。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
