[实用新型]一种高压LED芯片和驱动电源芯片集成封装结构有效
申请号: | 201220098428.0 | 申请日: | 2012-03-15 |
公开(公告)号: | CN202473920U | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | 游文贤 | 申请(专利权)人: | 游文贤;张家倩 |
主分类号: | H01L25/16 | 分类号: | H01L25/16;H01L33/48;H01L25/075 |
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地址: | 518000 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高压 led 芯片 驱动 电源 集成 封装 结构 | ||
技术领域
本实用新型属于LED照明技术领域,具体涉及的是一种高压LED芯片和驱动电源芯片集成封装结构。
背景技术
随着LED技术的快速发展,LED照明产品也逐渐进入到日常生活中,而LED芯片为了满足照明要求,其照明时功率不能低于1W,为此目前的大多LED照明产品都是由多个低压LED芯片通过串并联的方式构成,比如0.06W的LED芯片工作电压为3.2V,通过电流为20mA,如果需要满足照明要求,则必须要有至少17个同样的0.06W的LED芯片串联才能实现,在封装过程中,则需要对17个0.06W的LED芯片进行固晶打线,其不但封装制作成本较高,而且由于低压LED芯片数量较多,必然占用较大的基板,造成整个LED照明产品体积过大;另外,由于低压LED芯片工作电压为3.2V,采用目前的市电供电时,必须要将电压从AC220V降低到DV3.2V,该过程中功率转换损失较大。
实用新型内容
为此,本实用新型的目的在于提供一种高压LED芯片和驱动电源芯片集成封装结构,以解决目前LED照明产品采用低压LED芯片所存在的功率转换损失较大、元器件过多、结构复杂、封装困难、成本高的问题。
为实现上述目的,本实用新型主要采用以下技术方案:
一种高压LED芯片和驱动电源芯片集成封装结构,包括有一基板(1),所述基板(1)上通过固晶打线方式设置有多个高压LED芯片(2)和至少一个驱动电源芯片(3),所述高压LED芯片(2)由多个低压LED芯片(201)串联后形成。
其中还包括有一与上述驱动电源芯片(3)连接的桥式整流模块,所述驱动电源芯片(3)通过该桥式整流模块与外部交流市电连接。
其中所述基板(1)为铝基线路板。
本实用新型将多个低压LED芯片通过串联后形成一个高压LED芯片,使高压LED芯片满足照明要求的同时,提高了高压LED芯片的照明工作电压,且采用多个高压LED芯片可使交流市电与照明工作电压之间的差距缩小,降低了AC-DC的转换效率损失,同时只需要对高压LED芯片和驱动电源模块进行固晶打线,避免了对多个低压LED固晶打线,减少了元件的使用,使产品小型化,解决了产品结构复杂、封装困难、成本高的问题。
附图说明
图1为本实用新型高压LED芯片和驱动电源芯片集成封装的立体结构示意图。
图2为本实用新型高压LED芯片的结构示意图。
图中标识说明:基板1、高压LED芯片2、低压LED芯片201、驱动电源芯片3。
具体实施方式
为阐述本实用新型的思想及目的,下面将结合附图和具体实施例对本实用新型做进一步的说明。
本实用新型提供的是一种高压LED芯片和驱动电源芯片集成封装结构,通过将多个低压LED芯片串联后形成一个高压LED芯片,将该高压LED芯片和驱动电源芯片一同由固晶打线工艺封装在基板上,通过外部桥式整流模块将市电转化成直流为驱动电源芯片供电,通过驱动电源芯片驱动高压LED芯片发光照明。
请参见图1、图2所示,图1为本实用新型高压LED芯片和驱动电源芯片集成封装的立体结构示意图;图2为本实用新型高压LED芯片的结构示意图。本实用新型所述的高压LED芯片和驱动电源芯片集成封装结构,包括有基板1,所述基板1优选为铝基线路板,也可以选用其他具有良好散热效果的基板,该基板对应安装在灯罩中。
基板1上通过固晶打线工艺设置有多个高压LED芯片2和至少一个驱动电源芯片3,驱动电源芯片3通过设置在基板1外部的桥式整流模块或桥式整流电路与220V交流市电连接,通过桥式整流模块或桥式整流电路将交流转换成直流。
驱动电源芯片3的具体数量可以根据实际需要有所不同,可以是一个也可以是多个,其对应与高压LED芯片2连接,可以一个高压LED芯片2对应连接一个驱动电源芯片3,也可以多个高压LED芯片2对应连接多个不同的驱动电源芯片3。
其中如图2所示,所述高压LED芯片2是由多个低压LED芯片201串联后封装形成,比如17个0.06W的低压LED芯片串联后形成的高压LED芯片,对应电压为3.2*17=54.4,大概四个这样的高压LED芯片串联电压就接近市电电压220V,这样在进行AC-DC转换时,差别就不会很大,相应地可以降低转换效率损失。
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