[实用新型]硅晶圆微盲孔金属填充装置有效
| 申请号： | 201220097245.7 | 申请日： | 2012-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN202651087U | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 刘胜;汪学方;吕植成;袁娇娇;徐明海;师帅;王宇哲 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅晶圆微盲孔 金属 填充 装置 | ||
【权利要求书】：
1. 一种硅晶圆微盲孔金属填充装置，其特征在于，包括孔板和真空回流装置；所述孔板置于硅晶圆的表面的孔板，孔板上加工有多个用于填充金属小球的小孔，小孔与硅晶圆的微盲孔位置一一对应；所述真空回流装置用于在真空环境下熔化金属小球。
2.根据权利要求1所述的一种硅晶圆微盲孔金属填充装置，其特征在于，所述孔板厚度和孔板上小孔的直径均略大于金属小球的直径。
3.根据权利要求1或2所述的一种硅晶圆微盲孔金属填充装置，其特征在于，所述孔板上的小孔内壁涂覆有高分子聚合物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
